用于制作多晶硅的辅助激光结晶的方法技术

一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层，其中，部份激光能量是穿透热滞留层使熔融非晶硅层，而部份激光能量则保留于热滞留层中，使持续加热非晶硅层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种辅助激光结晶的方法，且特别是一种应用于多晶硅制作，同时具有热滞留特性以及抗反射能力的辅助激光结晶的方法。
技术介绍
多晶硅(poly-silicon)因具有优于非晶硅的电气特性，以及低于单晶硅的成本考量优势，而于近几年在薄膜晶体管制造上广受重视，尤其是在薄膜晶体管驱动液晶显示器(TFT-LCD)的应用上。然而，多晶硅结晶的粒径(grain size)大小对于电子迁移率(mobility)和元件特性有着很大的影响，其中，多晶硅中存在的结晶晶界(grain-boundary)更构成元件中载子通过栅极通道时的障碍。因此，如何增大多晶硅的结晶晶粒粒径，使晶界数减少，以促进薄膜晶体管元件特性的提升，即是现今多晶硅薄膜制造技术中相当重要的发展趋势。以显示器技术为例，制作高效能的薄膜晶体管，以开发出更高性能的平面显示器，即是目前显示器技术发展的指标。以往传统制造多晶硅薄膜的方法为固相结晶化法(Solid PhaseCrystallization)，然而因为玻璃基板的最高承受温度约只有650℃，故此种方法并不适用于平面显示器制造上。另外，还有直接气相沉积多晶硅薄膜的方法。但不论本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，至少包含：形成一非晶硅层于一基板上；形成至少一热滞留层，堆叠于该非晶硅层之上，其中，该热滞留层具有一抗反射厚度，以使降低一非晶硅全熔临界能量；以及进行一激光加热工序，使该非晶硅 层转变成一多晶硅层，其中该激光加热工序所使用的一激光光束能量，是部分穿透该热滞留层，以及部分被该热滞留层所吸收。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，至少包含形成一非晶硅层于一基板上；形成至少一热滞留层，堆叠于该非晶硅层之上，其中，该热滞留层具有一抗反射厚度，以使降低一非晶硅全熔临界能量；以及进行一激光加热工序，使该非晶硅层转变成一多晶硅层，其中该激光加热工序所使用的一激光光束能量，是部分穿透该热滞留层，以及部分被该热滞留层所吸收。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该热滞留层为一半透光性质的薄膜。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于该热滞留层的材质为氮氧化硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该激光加热工序所使用的激光包含氯化氙紫外光源的准分子激光。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于还至少包含图案化该热滞留层，以形成多个接触窗口于该热滞留层之中，而于该些接触窗口中暴露出部分该多晶硅层；以及形成至少一栅极金属以及多个源/漏极金属，其中该栅极金属是位于该热滞留层之上，而该些源/漏极金属是位于该些接触窗口中。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于该热滞留层是用以作为一介电层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于该激光加热工序所使用的激光操作能量约为200-400mJ/cm2。8.一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林家兴，陈麒麟，陈昱丞，蔡柏豪，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]