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一种用于多晶硅制作的辅助激光结晶的方法，是先在基板上形成非晶硅层，然后形成一热滞留层于非晶硅层之上，其中，借由对热滞留层的厚度控制，使热滞留层具有一抗反射厚度，以降低非晶硅的全熔临界能量。最后，进行激光加热结晶工序，使非晶硅层结晶为多晶硅层...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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