功率金氧半场效晶体管的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后，定义闸极介电层与闸极层以形成一闸极结构与一罩幕堆叠结构，并且在闸极结构与罩幕堆叠结构之间形成暴露出磊晶层表面的间隙。之后，在间隙、部分闸极结构与罩幕堆叠结构的底部的磊晶层中形成井区。然后，在间隙底部的井区中形成源极区。接着，在基底上方形成一图案化的介电层，且图案化的介电层是暴露出罩幕堆叠结构上表面。继之，移除罩幕堆叠结构以形成暴露出井区表面的接触窗开口，然后，在接触窗开口底部的井区中形成基体区。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金氧半场效晶体管的制造方法，特别是涉及一种功率金氧半场效晶体管(power MOSFET)的制造方法。
技术介绍
功率金氧半场效晶体管(晶体管即电晶体，以下均称为晶体管)是可用以放大功率、并且处理高电压和大电流的半导体元件。以下以图1A至图1G来说明现有习知的一种功率金氧半场效晶体管的制造流程。首先，请参阅图1A所示，在具有磊晶层102的基底100上形成氧化硅闸极介电层104与多晶硅闸极层106。接着，请参阅图1B所示，以微影与蚀刻技术定义多晶硅闸极层106与氧化硅闸极介电层104以形成一闸极结构105，此闸极结构105是由多晶硅闸极层106a与氧化硅闸极介电层104a所构成。其后，进行一离子植入步骤，以在磊晶层102中形成井区110。之后，请参阅图1C所示，利用旋转涂布法，在基底100上形成光阻层112。然后，对该光阻层112进行一曝光与显影制程，以形成图案化光阻层112a，如图1D所示。接着，请参阅图1E所示，以图案化光阻层112a为植入罩幕，进行离子植入制程，以在井区110中形成源极区114。之后，再移除图案化光阻层112a。然后，请参阅图1F所示，在基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　在一基底上依序形成一磊晶层、一闸极介电层与一闸极层；　　　　定义该闸极介电层与该闸极层以形成一闸极结构与一罩幕堆叠结构，并且在该闸极结构与该罩幕堆叠结构之间形成暴露出该磊晶层表面的一间隙；　　　　在该间隙、部分该闸极结构与该罩幕堆叠结构的底部的该磊晶层中形成一井区；　　　　以该闸极结构与该罩幕堆叠结构为罩幕，在该间隙底部的该井区中形成一源极区；　　　　在该基底上方形成一图案化的介电层以覆盖该闸极结构与裸露的该源极区，且该图案化的介电层是暴露出该罩幕堆叠结构上表面；　　　　移除该罩幕堆叠结构以形成暴露出该井区表面的一接触窗开口...

【技术特征摘要】
1.一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于其包括以下步骤在一基底上依序形成一磊晶层、一闸极介电层与一闸极层；定义该闸极介电层与该闸极层以形成一闸极结构与一罩幕堆叠结构，并且在该闸极结构与该罩幕堆叠结构之间形成暴露出该磊晶层表面的一间隙；在该间隙、部分该闸极结构与该罩幕堆叠结构的底部的该磊晶层中形成一井区；以该闸极结构与该罩幕堆叠结构为罩幕，在该间隙底部的该井区中形成一源极区；在该基底上方形成一图案化的介电层以覆盖该闸极结构与裸露的该源极区，且该图案化的介电层是暴露出该罩幕堆叠结构上表面；移除该罩幕堆叠结构以形成暴露出该井区表面的一接触窗开口；以及以该图案化的介电层为罩幕，在该接触窗开口底部的该井区中形成一基体区(Body Region)。2.根据权利要求1所述的功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于其中所述的基底上方形成该图案化的介电层的方法包括在该基底上形成一介电材料层，覆盖该闸极结构、该罩幕堆叠结构与该源极区；在该介电材料层上形成一图案化的光阻层；移除未被该图案化的光阻层覆盖的该介电材料层，而暴露出该罩幕堆叠结构；以及移除该图案化的光阻层。3.根据权利要求2所述的功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于其中所述的移除未被该图案化的光阻层覆盖的该介电材料层的方法包括利用等向性蚀刻法。4.根据权利要求1所述的功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于其中所述的移除该罩幕堆叠结构的方法包括利用一非等向性蚀刻法。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：许修文，
申请(专利权)人：汉磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]