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本发明是关于一种功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先在基底上依序形成磊晶层、闸极介电层与闸极层。然后，定义闸极介电层与闸极层以形成一闸极结构与一罩幕堆叠结构，并且在闸极结构与罩幕堆叠结构之间形成暴露出磊晶层表面的间隙。之后，在间隙、部分闸极...
该专利属于汉磊科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汉磊科技股份有限公司授权不得商用。

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