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财团法人工业技术研究院专利技术
财团法人工业技术研究院共有7884项专利
半导体薄膜结晶及半导体元件制造的方法技术
一种制造半导体元件的方法,其包括:提供基板;在该基板上形成非晶硅层;在该非晶硅层上形成保热层;图案化该保热层;以及照射该已图案化的保热层。
射频识别卷标结合微组件的封装结构与方法技术
一种射频识别卷标结合微组件的封装结构,包括设置有一射频识别卷标以及一微组件的一基板;以及覆盖于该基板上而与该基板相连接的一微封盖,该微封盖具有一微凹槽以提供容置该射频识别卷标以及该微组件。借助该封装结构的设计可以增加封装结构抵抗严苛环境...
形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法技术
一种形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线的方法被揭示,包含于一含有金属离子及纳米碳管的电镀浴中对一表面具有一导电基线的基材进行电镀,于是在该导电基在线形成纳米碳管与金属复合材料的电镀互连导线。本发明亦揭示另一种形成纳米碳管与金属复合...
功率型封装件及其制造方法技术
本发明的功率型封装件及其制造方法是由LED芯片、导电结构及一封装体构成,其中该封装体包覆LED芯片与部分导电结构;该功率型封装件包括:一导电结构、至少一发光芯片以及至少一封装体;本发明的导电结构采用分别加工再组合的方式,该导电结构图案设...
新型红光荧光粉制造技术
一种具下式(Ⅰ)的新型红光荧光粉粉末:AB(MO↓[4])↓[2](Ⅰ),式中A为Li↑[+]、Na↑[+]、K↑[+]、Rb↑[+]、Cs↑[+]或Ag↑[+];B为三价稀土离子铕;以及M为钼或钨;该红光荧光粉粉末是借由固态合成法(s...
半导体结构及其制造方法技术
本发明涉及一种半导体结构及其制造方法,特别涉及一种应用于晶体管栅极的界面层即高介电常数的半导体叠层结构及其制造方法。其利用HfO↓[2]上的Ti,以吸收界面层的氧原子,进而降低界面层的厚度,直至消失。而在Ti上生长TiO↓[2]将可帮助...
发光二极管的晶圆级芯片构装的结构及其构装方法技术
本发明揭露一种发光二极管晶圆级芯片构装的结构及其构装方法。发光二极管芯片构装的载体基板具填充有导热材质的导热通道,用以将发光二极管所产生的热能传导至载体基板。连结此具有导热通道的载体基板与发光二极管,因而形成晶圆级芯片构装。该结构用以将...
具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
本发明涉及一种具有多个晶体管的半导体装置及其制造方法,包括有下列步骤:提供一基板;形成一第一导电层于该基板上,其中该第一导电层包括有:一第一电极区;以及至少一第二电极区;其中该第一电极区电性连接该第二电极区中之一;形成一第一半导体层以覆...
电极以及其形成方法技术
本发明公开了一种电极以及其形成方法。该电极包括:一基材;以及多个金属粒子,该多个金属粒子附着在该基材上。该形成方法包括以下步骤:提供一基材;提供一溶液在该基材上,该溶液包含有一溶剂及多个金属粒子;移除该溶液中的该溶剂;以及使该多个金属粒...
偏极化发光元件制造技术
一种偏极化发光元件,包括第一反射器、发光二极管芯片、荧光材料层、第二反射器以及偏极化元件。在上述的偏极化发光元件中,发光二极管芯片所发出的第一光线(如紫外线)会被局限于第一反射器与第二反射器所构成的共振腔中,以使第一光线能够充分地照射荧...
薄膜晶体管制造方法及基板结构技术
本发明公开了一种薄膜晶体管制造方法及基板结构,其中基板结构具有一基材及一自我对位光罩。该制造方法是通过将自我对位光罩制作在基材上,使其具有与基材同步热胀冷缩的特性,当提供一曝光源在基材非用以形成薄膜晶体管的一侧时,自我对位光罩可克服塑料...
主动发光与被动反射型显示器及其制造方法技术
本发明为一种主动发光与被动反射型显示器及其制造方法,以解决在不同场合中无法利用单一显示元件来显示画面的问题,本发明不仅利用现有技术结合主动发光元件及被动反射型元件以简化工艺且可减少消耗功率及产品大小。
直接沉积多晶硅的方法技术
一种用以在等离子辅助化学气相沉积(CVD)系统中形成多晶硅膜的方法,该系统包括其中设置第一电极及与该第一电极隔开的第二电极的室,该方法包含在该第二电极上提供基板,该基板包括暴露至第一电极的表面;施加第一功率至第一电极,用于在该室内产生等...
以臭氧水成长超薄氧化层的方法技术
本发明将臭氧气体溶于去离子水中形成臭氧水,再将硅晶圆浸入臭氧水中成长超薄氧化层,用以取代传统制程中的高温成长超薄氧化层。本发明的优点为省时、省能、不需高温即可成长超薄、高密度、高均匀性的氧化层。
存储单元、像素结构以及存储单元的制造方法技术
一种存储单元,此存储单元适于设置于基板上,且此存储单元包括岛状多晶硅层、第一介电层、浮获层、第二介电层以及控制栅极。其中,岛状多晶硅层设置于基板上,且岛状多晶硅包括源极掺杂区、漏极掺杂区以及位于源极掺杂区与漏极掺杂区之间的通道区,且该通...
电容式超音波换能装置及其制作方法制造方法及图纸
一种电容式超音波换能装置,其中包含第一电极;绝缘层,其形成于该第一电极上;至少一个支撑框架,其形成于该绝缘层上;以及第二电极,其形成为与该第一电极隔开,其中该第一电极及该第二电极定义该电容式超音波换能装置的有效振荡区域,且定义该有效振荡...
保护电子芯片接点的构装结构与构装结构的制造方法技术
本发明提供一种电子构装接点的保护结构与制造方法。该保护层结构可改善芯片上的电极接点与布线导电连接孔的应力集中现象,进而提高电子构装结构的导线可靠度。本发明中的保护层结构是以涂布、沉积或印刷的方式于晶片级制作程序完成,工序相容性较高,且适...
电磁偏极化结构与偏极化电磁波元件制造技术
一种电磁偏极化结构,可将非(或部分)偏极化电磁波偏极化。该电磁偏极化结构包括偏极层。而该偏极化层含有多个媒介单体,上述这些媒介单体分布成二维阵列,其中该阵列定义有操作轴,通过至少两个上述这些媒介单体,上述这些媒介单体的分布是非对称于该操...
有机双稳态元件与其制造方法技术
一种有机双稳态元件,其包括:第一电极、第二电极与有机混合层。其中有机混合层介于第一电极与第二电极之间。当于双稳态元件的第一电极与第二电极之间施加偏压时,通过有机混合层中所掺杂的金属材料/微粒,作为电子注入媒介,因此可以提高有机双稳态元件...
高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构制造技术
本发明公开了一种高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构,是以高分子与纳米导线构成的复合导电膜结构,使芯片通过高分子导电膜的数条纳米导线以低温低压金属接合方式与另一芯片电性连接,达到低接点阻抗的接合;且本发明的导电膜提供单一导电方向及多层...
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