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财团法人工业技术研究院专利技术
财团法人工业技术研究院共有7884项专利
硅基光感测元件及其制造方法技术
一种制造光感测元件的方法,其包含:制备硅基材;于该硅基材之上形成图案化平台;以及于该图案化平台上形成图案化导电层。
散热装置及其所使用的高导热复合材料制造方法及图纸
本发明提供一种散热装置及其所使用的高导热复合材料。本发明的散热装置对一电子元件进行散热,包括一第一散热元件,第一散热元件直接接触于电子元件,其中第一散热元件的材料为一种含碳纤维或发泡石墨的复合材料。本发明的高导热复合材料用于一散热装置中...
降低导孔应力的结构及其制造方法技术
本发明公开了一种降低导孔应力的结构及其制造方法,其利用呈现格状结构的应力阻障块将厚度方向的一个或多个导线或导孔框起,借此来隔绝与大块的高热膨胀系数的绝缘材料的直接接触,进而可将在温度负载下所产生的剪切应力阻隔或吸收掉。
多晶硅薄膜的制作方法技术
一种多晶硅薄膜的制作方法,是先在基板上形成硅层,然后形成一热滞留层于硅层之上,接着,利用具有陡峭能量密度梯度的激光束,进行激光加热制程,以诱发部分硅层发生超级横向长晶行为。其中,热滞留层能在激光加热制程中,对硅层的结晶行为产生辅助加热的...
集成电路的接合结构及其制造方法技术
本发明涉及一种集成电路的接合结构及其制造方法,用以接合一第一基板与一第二基板,该接合结构包括有:一第一垫片,附着于该第一基板上;多个第一柱状物,以一第一密度形成于该第一垫片上;一第二垫片,附着于该第二基板上;以及多个第二柱状物,以一第二...
金属-绝缘体-金属电容器制造技术
本发明提出一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括下电极、上电极以及电容介质层。上电极位于下电极上,而电容介质层则位于上电极与下电极之间。其中,电容介质层包括多层TiO↓[2]层以及至少一层四方晶体结构材料层,而四方晶体结构材料层是...
间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法技术
本发明公开了一种间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法,主要采用较低电阻率的导线电极结合较高电阻率的间隙壁电极,且将相变化材料层形成于间隙壁电极之间,因此可降低相变化材料层与间隙壁电极的接触面积并缩小相变化材料的体积,进而减少相变化存...
三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法制造技术
本发明公开一种三维薄膜晶体管式纳米晶粒存储器元件及其制法,该存储器元件包括:形成于该基材上的一薄膜晶体管;该薄膜晶体管闸极介电层中的一纳米晶粒层;形成于薄膜晶体管上的另一薄膜晶体管;这二个薄膜晶体管是共享一字符线。本发明提供了一种降低存...
金属-绝缘体-金属电容结构及其制造方法技术
一种金属-绝缘体-金属电容结构,是至少由上电极、下电极以及绝缘层所构成,其中绝缘层位于上电极与下电极之间。而这种金属-绝缘体-金属电容结构的特征在于下电极包括一层导体层以及金属氮化物多层结构。金属氮化物多层结构是位于导体层与绝缘层之间,...
半导体存储元件、相变存储元件及其制造方法技术
一种相变存储元件,包括基底、下电极、第一、第二、第三介电层、杯状加热电极、上电极以及相变材料间隙壁。其中,下电极形成于基底内。第一介电层位于基底上,且其中有与下电极相接触的杯状加热电极。条状的第二与第三介电层分别以不同方向排列于基底上,...
N型有机半导体材料制造技术
本发明提供了一种N型有机半导体材料,为线型多芳香环的二酰亚胺衍生物。所述线型多芳香环的骨架具有分子间π-π作用力,可使分子堆栈整齐。而二酰亚胺氮原子上的取代基也有同样的效果。上述材料可提高电子迁移速率,应用包括作为栅极结构的信道区、有机...
彩色化胆固醇型液晶显示器及其制造方法技术
本发明涉及一种彩色化胆固醇型液晶显示器及其制造方法,提供一种简易的彩色化胆固醇型液晶显示器的工艺,本发明利用胶囊化方式搭配涂布工艺,将含有可调的手征性材料的胆固醇型液晶涂布于具有电极层的基板上,以制作出彩色化胆固醇型液晶显示器。
自旋晶体管及其制造方法技术
本发明公开了一种自旋晶体管及其制造方法,在基板上利用光刻工艺定义所需区域,再以离子注入方式形成掺杂区,并在基板上形成磁电阻薄膜,最后可制造出发射极、基极与集电极均在同一平面的自旋晶体管。此制造方法将发射极、基极与集电极整合到单一平面上,...
复合凸块制造技术
本发明提出一种复合凸块,其适于设置在基板的焊垫上。此复合凸块主要包括弹性主体以及外导电层,其中弹性主体的热膨胀系数介于5ppm/℃与200ppm/℃之间,而外导电层覆盖弹性主体,并与焊垫电连接。复合凸块内的弹性主体可在接合时提供应力缓冲...
形成多晶硅薄膜的方法技术
本发明涉及一种形成多晶硅薄膜的方法,包括:提供一形成多晶硅薄膜系统;提供一基板于该掩膜后方的该激光束的该行进路径上,该基板上形成有一非晶硅薄膜;以该激光束透过该掩膜对该非晶硅薄膜进行第一次激光照射,使对应该掩膜上的该多个第一透光区域的该...
相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元技术
本发明公开了一种相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元,主要通过添加一种或多种不与相变化材料发生反应的异质晶粒,作为相变化存储层结晶成长的晶核,以减少非晶态转换为结晶态所需的时间。
光束产生器及具有该光束产生器的投影系统技术方案
一种光束产生器,其包括光学元件及发光二极管,该发光元件具有非球面的反射曲面,且该反射曲面至少具有一个焦点;而该发光二极管配置于该光学元件的焦点,用于发出光线至该反射曲面,以导引至特定方向,由此可提升光束输出效率、降低散热需求、并可提供应...
数字感测电路制造技术
本发明提供一种数字感测电路,其可用于感测有机存储器内的位单元所储存的位信息,此数字感测电路仅包括简单的电流至电压转换器、重置区块电路以及感测区块电路。电流至电压转换器将传导电流转换成电压信号,而感测区块电路根据上述电压信号来缓冲输出位信...
有机存储器制造技术
本发明提供一种有机存储器,此有机存储器至少包括有多条选择线、多条数据线、位单元阵列、以及多个数字感测电路等。位单元阵列包括多个位单元,而每一个位单元包括有机存储单元以及开关元件。每一个数字感测电路包括电流至电压转换器以及感测区块电路。上...
芯片封装结构与芯片封装工艺制造技术
本发明提出一种芯片封装结构,包括芯片与缓冲胶体,其中芯片具有主动表面、相对之背面以及连接于主动表面与背面之间的多个侧面。此外,缓冲胶体至少设置于主动表面与背面上,且缓冲胶体的杨氏模量介于1MPa与1GPa之间。此缓冲胶体有助于减少热应力...
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