本发明提供一种有机存储器之位单元，其包括有机存储单元、第一晶体管、电流镜、以及第二晶体管。写入时第一晶体管致动而读出时第二晶体管致动，以导通数据线与有机存储单元，且第一晶体管的尺寸大于第二晶体管的尺寸，因此，可以同时兼顾写入时有较大的传...

一种薄膜晶体管，适于设置在可挠曲性基板上，其包括栅极、栅绝缘层、通道层、第一导体图案，以及第二导体图案。栅极设置于可挠曲性基板上，而栅绝缘层设置于可挠曲性基板上，以覆盖栅极。通道层设置于栅绝缘层上，且位于栅极上方。通道层具有至少一个第一...

本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将相变层刻蚀成一锥形结构，并将相变层上的介电层平坦化，直至露出锥形结构的顶端，由显露出的锥形结构的顶端与加热电极接触。如此一来，将相变层的顶端露出的面积控制在极小尺寸内，即可缩小相变层与...

一种ＤＲＡＭ空心柱型电容器的制造方法，包括提供具有多晶硅插塞的衬底，再于衬底上提供具有开口的模型介质层，其中开口暴露出多晶硅插塞。接着，于开口侧壁上形成非晶硅间隙壁，并暴露出部分多晶硅插塞。然后，去除暴露出的多晶硅插塞之部分厚度，再利用...

本发明公开了一种相变化存储元件及其制造方法，主要是将碟盘状相变层埋入于绝缘材料中，并利用光刻技术产生位于碟盘状相变层中心且贯穿相变层的中心贯孔，和以中心贯孔为中心且外围位于碟盘状相变层边缘上的环状贯孔。此时，设置于中心贯孔中的加热电极可...

一种空心柱型电容器，至少是由衬底、空心柱型下电极、结构层、上电极和电容介质层所构成。而衬底中具有数个插塞，有数个空心柱型下电极就位于衬底上并与插塞电连接。而结构层是分别围绕于各个空心柱型下电极的外围，其中围绕于两相对空心柱型下电极的结构...

一种薄膜晶体管阵列的制造方法，其包含以下步骤。提供基板，该基板上形成有栅电极层、栅绝缘层与硅层。对该栅电极层、该栅绝缘层与该硅层进行图案化，以定义出栅极区、栅极线与栅极线接线区。形成保护层于整个基板上。对保护层进行图案化，以使在保护层中...

一种储存电荷元件的制造方法，利用原子层沉积法能精确控制薄膜成长厚度以及硅含量的特性，在沉积氧化硅铪Ｈｆ↓［ｘ］Ｓｉ↓［ｙ］Ｏ↓［ｚ］的过程中，渐变式改变硅含量，因此可容易的制作出堆叠的渐变材料层。然后，利用硅含量ｙ会影响氢氟酸溶液对氧化...

一种多晶硅膜的制造方法，其步骤至少包括：提供基板，其中于基板上至少形成有金属层，接着于基板上直接沉积多晶硅膜，然后对多晶硅膜进行热板退火工艺。通过本发明之多晶硅膜的制造方法，能够以较低的制造成本、较高的产率制造出高效能的多晶硅薄膜晶体管。

本发明公开了一种制造纳米碳管场效晶体管的方法，包括以下步骤：形成一图案化导电层于一基板上；形成一介电层以覆盖该导电层以及该基板；在该介电层上，形成一纳米碳管层于一对电极之间；以及对该纳米碳管层进行一处理程序，使得该纳米碳管层为半导体型。...

本发明公开了一种光感测元件及其制法，该制法包括下列步骤：在基板上制作出光转换元件；在该光转换元件上形成抗反射涂层；以及在该抗反射涂层上形成荧光物质，荧光物质能吸收特定波段的光、并反射出易于被光转换元件感测的波段的光。本发明的光感测元件可...

一种具内藏式电容结构的芯片封装体，其包括集成电路元件、电容元件、封装架体以及封装胶体。电容元件设置于集成电路元件上。电容元件包括第一金属片、第二金属片以及介电层，其中介电层设置于第一金属片与第二金属片之间。封装架体设置于第二金属片的远离...

一种发光装置，包括有：　　　　承载组件，其设有二导电体，该二导电体用于连接电源；　　　　发光组件，其设置于该承载组件上，且与该二导电体电性连接，并用于在该二导电体连接电源后提供光源；以及　　　　至少一个修正组件，其与该发光组件电性连接，...

一种非晶硅激光结晶成多晶硅用之光刻掩膜，此光刻掩膜包括透明基板，其包括大小相等的第一区块、第二区块与第二区块。第二区块是位于第一区块与第三区块之间，其中第一区块包括多个第一透光区与多个第一遮蔽区，第一遮蔽区位于第一透光区之间。第二区块包...

本发明揭露一种封装结构，包括：一金属基板；一印刷电路板，形成于该金属基板上；一热电组件（ｔｈｅｒｍｏ－ｅｌｅｃｔｒｉｃ　　ｄｅｖｉｃｅｓ），形成于该印刷电路板内及／或上；以及一发光二极管，形成于该热电组件上。本发明亦揭露一种封装方法。

本发明公开一种三维存储器的层间连线结构及其制法，该结构利用导线布局，由多个存储单元组成的存储单元组群经由导线及插栓的排列连接到各个选择晶体管，其中该导线布局是在各个同一水平面分别布置多个导线，且在上下二层不同水平面的相邻导线间选择性形成...

本发明涉及一种可防止静电破坏的发光器封装结构及其制造方法，其包含有至少一可发出光能量的发光器，该发光器设置于至少二具有高导电及高导热系数的金属材质承载基座上，该至少二承载基座分别与正负电极电性连接，该至少二承载基座之间胶合有晶片型的静电...

本发明公开了一种改善有机发光二极管整合彩色滤光片接触电阻的结构及方法，该结构及方法主要是在源极／漏极金属层上的接触井填入金属，或在多晶硅岛上相应于源极／漏极金属层位置的接触井填入金属，以有效降低像素电极与薄膜晶体管间的接触电阻，改善色彩...

本发明公开一种发光装置及其制法，该发光装置包括发光单元，具有用于在接置电源后产生光源的第一电极与第二电极；导电件，与该发光单元的第一电极电性连接；以及基材，具有用于承载该发光单元的承载部以及由该承载部延伸且用于散热的面状散热部，并与该发...

本发明为一种具应力缓冲的微连凸块结构，其包括有：一第一顶面，该第一顶面与基板及电子组件其中之一连接；一第二顶面，该第二顶面与基板及电子组件其中之一连接；一支撑体，连接于第一顶面与第二顶面之间，且该支撑体的二端表面积不大于第一顶面及第二顶...