本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。该相变化存储器元件包含：晶体管；以及相变化材料层。其中，该相变化材料层与该晶体管的末端接触。具体地说，该晶体管可为场效晶体管或是双极结晶体管。

本发明提供一种具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法。该电子元件包括基板，第一电极层设置于基板上。多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中第一介电层与第二介电层之间互溶且实质上无界面存在。第二电极层设置于该多层绝缘层上。

本发明公开了一种具弹性定位结构的洁净容器，于一座体上形成有至少一个支撑组件及至少一个后部定位组件，并在座体上罩盖有一盖体，且在盖体与座体间设有定位件，其向外延伸有二弹性臂，且各弹性臂分别延伸有一推顶面。当座体置放一脆性材料平板件，并配合...

本发明公开了一种面心立方结构电容及其制造方法，该面心立方结构电容由一第一、第二金属层以及连接第一与第二金属层的连接层所组成，其中第一金属层由数条第一、第二金属线与数个第一金属块组成，该第一、第二金属线相互交叉形成一个网格结构，每一该第一...

本发明提供一种透明电极及包含此透明电极的有机电致发光元件。其中透明电极包括电极层，由金属材质与金属氧化物共蒸镀而成，本发明的透明电极具有良好的导电度、透射率及挠曲度，可作为有机电致发光元件的阳极或阴极。此外，更包括在透明电极上形成额外的...

本发明公开了一种具有微镜体结构的发光二极管芯片，其包含发光结构及导光镜体，发光结构在被施加电流后在一出光面射出光线，而导光镜体迭置于出光面并在导光镜体的导光面将光线射出，导光面具有环形脊状部及散光区域，使得接近出光面的中心光轴的光线（即...

本发明提出一种透光型薄膜太阳能电池模块及其制造方法。此制造方法，在透明电极材料层中已先形成两个方向的开口，如此可避免高温的激光切割工艺而导致短路的问题，而影响工艺良率。另外，透光型薄膜太阳能电池模块具有暴露出透明基板的开口，且无覆盖透明...

本发明提供相变存储装置包括：基板；第一电极层，形成于基板上；第一相变存储结构，形成于第一电极层上，且电连接至第一电极层；第二相变存储结构，形成于第一相变存储结构上，且电连接至第一相变存储结构，其中第一或第二相变存储结构包括：杯形加热电极...

本发明揭示一种在电浆辅助化学气相沉积（ＣＶＤ）系统中制造半导体装置的方法，该系统包括处理室，其具有相互隔开的第一电极与第二电极，该方法包括：在该第二电极上提供基板，该基板包括暴露于该第一电极的表面；在该基板的该表面上制造半导体薄膜，并在...

本发明提供一种相变内存装置，包括：基板；金属栓塞和相变材料层，依序形成于上述基板上，其中上述金属栓塞电性连接于上述相变材料层；加热电极，形成于上述相变材料层上，其中上述加热电极电性连接于上述相变材料层；导电层，形成于上述加热电极上。

一种共质心对称结构电容，其特征在于，包括有：　　　　一第一金属层，具有一第一组金属线与一第二组金属线，该第一与该第二组分别具有数条金属线，且该第一组金属线的每一金属线与该第二组金属线的每一金属线以交错方式配置；　　　　一第二金属层，相邻...

一种光学对焦装置，包括座体、轴接于该座体中的套筒、螺纹连接于该套筒的镜头、及固定于该座体中用以接触驱动该套筒旋转的压电致动器，该座体与该镜头分别设有对应定位滑动的第一导引部及第二导引部，从而可通过驱动该套筒旋转而转换带动该镜头进行对焦。...

本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包括：基底；第一电极层，形成于该基底之上；点状相变化柱形，成于该第一电极层之上；介电层形成于该第一电极层之上，并覆盖该点状相变化柱的侧面，露出该点状相变化柱的上表面；以及第二电极层...

本发明有关于一种相变化存储器及其制造方法。该相变化存储器包含：基底；第一电极层，形成于该基底之上；具有环状或条状相变化层，与第一电极电连结；以及，第二电极，形成于该相变化层上，并与该相变化层电连结，其中该第一电极与第二电极至少一者为相变...

本发明有关于一种相变化存储器。该相变化存储器包含：第一电极与第二电极，其中该第一电极与第二电极由相变化材料所构成；以及电连结通路，形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与第二电极通过该电连结通路达成电连结，其中该电连结通路包含相...

一种存储器元件。一柱形结构包括一第一电极层、一位于第一电极上的介电层及一位于介电层上的第二电极层。一相变化层包覆柱形结构的四周围。一下电极电性连接柱形结构的第一电极层。一上电极电性连接柱形结构的第二电极层。

本发明提供了一种相变存储装置，其包括：第一电极；第二电极；以及相变材料层，设置于该第一与第二电极之间。上述相变材料层包括：第一部，连结于该第一电极，具有第一宽度；第二部，连结于该第二电极，具有第二宽度；第三部，连结该第一部与该第二部，具...

本发明提供一种制造半导体组件的方法，其包括提供一衬底，于所述衬底上形成一非晶硅层，于所述非晶硅层上形成一图样化保热层；通过使用所述图样化保热层作为一屏蔽来掺杂所述非晶硅层，以在所述非晶硅层中形成一对掺杂区域，以及照射所述非晶硅层，以活化...

本发明公开了一种相变化存储装置及其制造方法。该相变化存储装置包括：基底；介电层，设置于该基底之上；相变化材料层，埋设于该介电层中；以及第一导电电极，埋设于该介电层内，并沿垂直于该介电层的顶面的方向延伸穿透该相变化材料层。

本发明提供一种磁存储器，包括堆叠、第一写入导线以及第二写入导线。堆叠包括磁被钉扎层、隧穿势垒以及磁自由层以形成磁隧道结。其中，磁隧道结具有一长轴。第一写入导线配置于堆叠下方，且于一投影面上，第一写入导线与磁隧道结的长轴方向二者夹角小于４...