一种存储器装置的制造方法。首先，提供基底，形成介电层于基底上。其后，形成掺杂锡的相变化层于介电层上，形成图案化掩模层于掺杂锡的相变化层上。接下来，以图案化掩模层为掩模，并用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻掺杂锡的相变化层，以图案化掺杂锡的...

本发明公开了一种太阳电池，包括多个堆叠式ｐｎ结结构及多个穿隧接面层，其中穿隧接面层是位于堆叠式ｐｎ结结构之间。而且，在堆叠式ｐｎ结结构中有一个堆叠式ｐｎ结结构至少包括一层ｐ型半导体层、一层ｎ型半导体层以及位于ｐ型与ｎ型半导体层之间的一层...

一种降低加热电极与相变材料层间接触面积的方法，包括下列步骤：提供第一介电层，其内埋设有加热电极，该加热电极具有高出该第一介电层表面的露出部，该加热电极具有第一直径；施行氧化程序，以在该加热电极所露出的该露出部的顶面与侧壁上形成氧化物层，...

本发明公开了一种相变化存储器，该相变化存储器包含复合材料层包含介电材料及低热传导材料；贯孔形成于该复合材料层；以及相变化材料形成于至少一部分的该贯孔内。

一种双面可吸光发电的薄膜太阳电池。此薄膜太阳电池包括第一与第二透明基板、第一与第二太阳电池模块以及绝缘层。第一太阳电池模块位于第一透明基板上，其中还具有金属层，作为第一太阳电池模块的其中一电极并且作为光反射层。绝缘层位于第一太阳电池模块...

一种相变化存储装置，包括：第一电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层与该第一电极之上；相变化材料层，设置于该第二介电层内并电连接该第一电极；第三介电层，设置于该第二介电层之上；第二电极，设置于该第三介电层内并电连接该相...

本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括：加热构件具有导电部与相对高电阻的加热部；以及相变化存储层与该加热构件堆叠；其中该相对高电阻的加热部包括金属硅氮化物部分。

本发明公开一种相变化存储器，该相变化存储器包含第一电极与第二电极、第一相变化材料层形成于该第一电极与第二电极之间，使得该第一电极与该第二电极通过该第一相变化材料层达成电性连结、以及碳掺杂的氧化物介电层包覆该第一相变化材料层的侧壁。

本发明公开了一种具覆盖图样层的感测芯片结构、结合该感测芯片结构的感测芯片构装及其制作方法，该感测芯片结构包含一感测芯片，以及于其主动表面上的作用区域外围环绕设置的覆盖图样层，此一具覆盖图样层的感测芯片结构，可阵列式批次地粘结并电性耦接至...

本发明提供一种相变化存储器装置及其制造方法。上述相变化存储器装置包括相变化存储单元阵列。各相变化存储单元包括设置于基板上的晶体管元件。直立式电极结构与晶体管元件电性相连，以及直立式存储层与该直立式电极结构上下直立形式堆迭并于一接触点接触...

本发明提供一种相变化存储器装置，包括：一基板；多个彼此隔离的底电极，位于上述基板上；一绝缘层，横跨于上述相邻的任两个底电极的部分表面上；一对相变化材料间隙壁，位于上述绝缘层的一对侧壁上，其中上述一对相变化材料间隙壁是分别位于上述相邻的任...

一种相变化存储单元结构，包括：　第一电极，设置于第一介电层之上；　第二介电层，设置于该第一电极之上；　导电构件，穿透该第二介电层并电接触该第一电极，其中该导电构件包括依序堆叠于该第一电极之上的下部构件与上部构件，该下部构件与该上部构件包...

一种自对准晶片或芯片结构，其包括一基底、至少一第一凹座、至少一第二凹座、至少一连接结构以及至少一凸块。上述基底具有一第一表面以及一第二表面，且第一表面上已形成有至少一焊垫。上述第一凹座位于第一表面上，且第一凹座与焊垫电性连接。上述第二凹...

本发明提供一种有机非易失性存储材料，包括均匀分散于第一高分子中的纳米粒子。纳米粒子的金属核被第二高分子包覆，形成核壳结构。第一高分子与第二高分子可由相同的单体聚合而成，且第一高分子的聚合度及分子量大于第二高分子。由于本发明的非易失性存储...

本发明提供一种具晶粒三维堆叠结构的影像感测模块，利用至少一影像感测晶粒的导通孔与其下方一绝缘层的介层洞内填导电性材料，以使该影像感测晶粒与内埋于该绝缘层内的一影像处理晶粒建立垂直的电性导通，并形成锡球凸块于该影像感测模块背面，以使该影像...

本发明提供一种相变存储器装置，包括：基板；电极层，形成于上述基板上；相变存储器结构，形成于上述电极层上，且电连接至上述电极层，其中上述相变存储器结构包括：杯形加热电极，设置于上述电极层上；绝缘层，沿第一方向设置于上述杯形加热电极上，且部...

本发明公开了一种具防电磁干扰结构的集成电路封装结构，以双层接续披覆的方式，分别将介电包覆层与抗电磁干扰层材料，依序加载于承载基板与其上的集成电路等所有元件表面，通过抗电磁干扰层与承载基板上表面裸露的接地金属区域的贴附接合，由封装体上方的...

一种多位相变化存储器阵列，该多位相变化存储器阵列包括多个多位相变化存储器，每一多位相变化存储器包括第一位线与第二位线、第一相变化材料层、第二相变化材料层以及开关元件，该第一相变化材料层耦接于该第一位线与该第二位线之间，该第二相变化材料层...

一种形成图样的方法，包括：　提供基板；　形成多个种构件于该基板上；　形成至少一双膜层结构，该双膜层结构包括形成于该种构件上的第一膜层以及形成于该第一膜层上的第二膜层；　移除位于该种构件上的该第一膜层与该第二膜层；以及　连续地且非等向地蚀...

本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。第一介电层具有侧壁。下电极邻接第一介电层的侧壁，其中下电极包括种晶层和导电层。第二介电层邻接下电极相对第一介电层的另一侧。上电极，经由相变化层耦接下电极。