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浜松光子学株式会社专利技术
浜松光子学株式会社共有2219项专利
图像生成装置制造方法及图纸
图像生成装置(1)是生成被测定物(A)的图像的图像生成装置,包含:激光光源(3),其射出激光;激光输出控制部(11),其调制激光的强度;激光扫描仪(5),其扫描激光的向被测定物(A)的照射位置;调制图案控制部(15),其以对被测定物(A...
放射线检测器制造技术
本发明提供一种既能够由多个受光元件来实现大画面化又能够提高可靠性的放射线检测器(1),具备:可挠性支撑基板(5),具有放射线的入射面(5a)以及出射面(5b);闪烁器层(6),由在出射面(5b)上进行结晶生长的多个柱状结晶(H)所构成并...
放射线检测器制造技术
本发明提供一种能够谋求到放射线检测所涉及的可靠性提高的放射线检测器(1)。放射线检测器(1)具备:支撑基板(2),使放射线透过;闪烁器层(3),具有放射线进行入射的入射面(3a)和在入射面(3a)的相反侧出射由放射线的入射而产生的光的出...
半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置制造方法及图纸
本发明是在相互层叠的集成电路层10及20上分别形成多个检查用整流元件部15及25。多个检查用整流元件部15(25)连接于多个连接用端子14(24)的各个与正电源配线13a(23a)及接地配线13b(23b)之间,且包含整流元件15a,1...
半导体集成电路装置的检查方法及半导体集成电路装置制造方法及图纸
在相互层叠的集成电路层(10)及(20),分别形成多个检查用整流元件部(15)及(25)。多个检查用整流元件部(15)((25))连接于多个连接用端子(14)((24))的各个与正电源配线(13a)((23a))及接地配线(13b)((...
使用吸附固浸透镜的吸附器的半导体器件的观察方法技术
本发明的吸附器(10)包含:主体部,其具有配置形成有半导体器件(D)的半导体晶圆(W)的第1面(13)、及与第1面(13)为相反侧的面的第2面(14),且形成有贯通第1面(13)与第2面(14)的贯通孔(15);以及透光部,其具有供来自...
图像生成装置制造方法及图纸
图像生成装置(1)包含:激光光源(3),其射出激光;激光输出控制部(11),其调制激光的强度;激光扫描仪(5),其扫描激光的向被测定物(A)的照射位置;调制图案控制部(15),其以对被测定物(A)照射多个空间调制图案的照明光的方式进行控...
闪烁器面板和放射线图像传感器制造技术
提供能够谋求高分辨率化和高辉度化的闪烁器面板(1)以及放射线图像传感器(10)。闪烁器面板(1)具备:放射线透过基板(3),具有放射线的入射面(3a)和出射面(3b),并使放射线透过;闪烁器(4),由在出射面(3b)上结晶生长而成的多个...
闪烁器面板以及放射线图像传感器制造技术
本发明提供一种能够容易变更在制造时的特性的闪烁器面板(1)以及放射线图像传感器(10)。闪烁器面板(1)具备:具有放射线入射面(3a)的闪烁器(3);相对于闪烁器(3)被配置于入射面(3a)的相反侧并传播由闪烁器(3)所产生的光的光学纤...
激光加工方法技术
本发明提供对应于被要求的品质提高分割力的激光加工方法。通过对加工对象物照射具有半值宽度与底宽彼此相等的脉冲波形的激光(L),从而沿着切断预定线在加工对象物内形成多个改质点,并由多个改质点形成改质区域。在此,激光光源(101)通过激光光源...
固体摄像装置制造方法及图纸
固体摄像装置(1)包含受光部(10)、第1行选择部(20)、及第2行选择部(30)等。第1行选择部(20)对于受光部(10)中的任意第m1行的各像素部,使光电二极管的接合电容部放电,将对应于光电二极管中所产生的电荷的量的数据向读出信号线...
电子倍增部以及包含其的光电倍增管制造技术
本发明涉及即使在小型化了的情况下也有效地抑制发光噪声的电子倍增部等,各级的倍增极具备分别具有物理分离的外周面的多个柱状部,各个柱状部被加工成平行于配置有电子倍增部的设置面的截面的面积或者外周长在该柱状部的外周面上的任意一个的位置上成为最...
发光元件的制造方法技术
该发光元件的制造方法具备:将聚光点(P1)对准在表面(2a)上形成有III-V族化合物半导体层(17)的蓝宝石基板(2)的内部,以基板(2)的背面(2b)作为激光入射面,沿着切断预定线(5a、5b)照射激光(L1),由此沿着切断预定线(...
观察装置制造方法及图纸
本发明的目的是在于提供一种即使是在使用每一个像素的读出速度为低速的光检测器的情况下也能够以高灵敏度高速地获得正在移动的对象物的相位图像的观察装置。观察装置(1)具备光源部(10)、第1调制器(20)、第2调制器(30)、透镜(40)、射...
连接基板制造技术
本发明的连接基板(13)具备由多个电介质层(130a~130f)层叠而成的基材(130)、以及贯通相互邻接的电介质层(130c~130f)而设置的多个贯通导体(20)。与多个贯通导体(20)各自形成为一体且相互隔开的多个放射线屏蔽膜(2...
散射吸收体测量方法和装置制造方法及图纸
从散射吸收体(B)的表面(Ba)所设定的一个光入射位置(I)入射规定波长的光(P),在散射吸收体(B)的表面(Ba)所设定的一个光检测位置(D)检测在散射吸收体(B)的内部传播的光(P)而获得光检测信号,基于该光检测信号,取得有关检测光...
固体摄像装置制造方法及图纸
固体摄像装置(1)具备摄像用受光部(10)、触发用受光部(20)、行选择部(30)、列选择部(40)、保持部(50)、像素数据输出部(60)、触发用数据输出部(70)以及控制部(80)。控制部(80)在触发用数据的绝对值转变成超过第1阈...
半导体故障解析装置及故障解析方法制造方法及图纸
一种半导体故障解析装置(1A),其具备对半导体器件(S)施加偏压电压的电压施加部(14)、取得图像的摄像装置(18)、及进行图像处理的图像处理部(30)而构成,摄像装置(18)取得各自包含电压施加状态下的发热像的多个解析图像、及电压未施...
观察装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供一种即使是在使用每一个像素的读出速度为低速的光检测器的情况下也能够以高灵敏度高速地获得移动的对象物的相位图像的观察装置。观察装置(1)具备光源部(10)、第1调制器(20)、第2调制器(30)、透镜(40)、射束分离...
氮化物半导体基板制造技术
本发明涉及一种氮化物半导体基板(1),其具有GaN系半导体层(6)和在GaN系半导体层6上形成的由AlGaN或InAlGaN形成的上表面平坦的埋入层(7),其中,GaN系半导体层(6)是在基底层(4)上生长、沿厚度方向的截面基本上为三角...
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