半导体故障解析装置及故障解析方法制造方法及图纸

一种半导体故障解析装置(1A)，其具备对半导体器件(S)施加偏压电压的电压施加部(14)、取得图像的摄像装置(18)、及进行图像处理的图像处理部(30)而构成，摄像装置(18)取得各自包含电压施加状态下的发热像的多个解析图像、及电压未施加状态下的多个背景图像。图像处理部(30)包括：摄像位置算出部(32)，其算出解析图像及背景图像各自的摄像位置；图像分类部(33)，其根据对摄像位置所准备的区域分割单位而将解析图像及背景图像分类为N个图像群；及差分图像生成部(34)，其针对N个图像群个别地生成解析图像与背景图像的差分图像。由此，实现一种能抑制半导体器件的发热解析图像中的摄像位置偏移的影响的半导体故障解析装置及方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种使用半导体器件的发热像进行故障解析的半导体故障解析装置、及半导体故障解析方法。
技术介绍
先前，作为进行半导体器件的故障解析的装置，使用一种检测由半导体器件所产生的热而确定其故障部位的故障解析装置。在此种故障解析装置中，例如对半导体器件所包含的电子电路施加偏压电压。然后，使用一种在红外光的波长区域具有感光度的摄像装置对半导体器件进行摄像以取得发热像，解析该发热像，由此确定半导体器件中的发热部位(例如，參照专利文献I 3)。 现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利第2758562号公报专利文献2 日本专利特开平9-266238号公报专利文献3 :日本专利特开平11-337511号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述半导体故障解析装置中，通过红外摄像装置所取得的半导体器件的图像包含由半导体器件产生的热的发热像、及半导体器件中的电路图案的图案像。该情形时，作为自上述图像中去除图案像并提取发热像的方法，考虑有差分法。即，与对半导体器件施加有偏压电压的状态下的发热像+图案像的解析图像不同地，另外取得未施加偏压电压的状态下的仅图案像的背景图像。然后，通过取得解析图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹嶋智亲，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：