电子倍增部以及包含其的光电倍增管制造技术

本发明专利技术涉及即使在小型化了的情况下也有效地抑制发光噪声的电子倍增部等，各级的倍增极具备分别具有物理分离的外周面的多个柱状部，各个柱状部被加工成平行于配置有电子倍增部的设置面的截面的面积或者外周长在该柱状部的外周面上的任意一个的位置上成为最小的形状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及检测来自于外部的入射光的光电倍增管、以及能够应用于包含该光电倍增管的各种传感器装置中的电子倍增部。
技术介绍
一直以来，利用细微加工技术的小型光电倍增管的开发正在进行。众所周知的是例如将光电面、倍增极以及阳极配置于透光性的绝缘基板上的平面型的光电倍增管(参照专利文献I)。由这样的构造，实现了微弱光的检测，并且也谋求了装置的小型化。现有技术文献 专利文献专利文献I :美国专利第5，264，693号
技术实现思路
专利技术所要解决的问题专利技术人对上述现有的光电倍增管进行了探讨，其结果发现了如以下所述那样的问题。即，在现有的光电倍增管中，在绝缘基板上电位不同的构造物靠近配置。因此，在光电倍增管小型化了的情况下，通过将生成的二次电子入射到绝缘基板上，从而产生了不要的发光，这成为噪声源。本专利技术是为了解决如上所述那样的问题而完成的专利技术，其目的在于，提供一种即使在小型化了的情况下也具备用于有效地抑制发光噪声的倍增极构造的电子倍增部、以及包含其的光电倍增管。解决问题的技术手段本专利技术所涉及的电子倍增部，具备沿着规定的设置面上的第I方向依次配置于该设置面上且级联倍增(cascade increase)沿着与第I方向相平行的方向行进的电子的多级倍增极。另外，多级倍增极分别具备在设置面上沿着与第I方向相垂直的第2方向延伸的共同的基座部、通过在各自仅间隔规定距离的状态下被设置于基座部从而通过基座部而电连接的多个柱状部。还有，各个柱状部沿着垂直于设置面的第3方向延伸而且具有由物理分离的外周面规定的侧壁形状。作为具备如以上所述那样的构造的电子倍增部的第I方式，优选在多级倍增极的各个，多个柱状部中的至少任意一个柱状部具有以垂直于第3方向的截面的面积或者外周长在该柱状部的外周面的任意一个位置上成为最小的方式被加工的形状。作为具备如以上所述那样的构造的电子倍增部的第2方式，优选在多级倍增极的各个，多个柱状部中的至少任意一个柱状部的外周面中形成有单一的二次电子放出面的区域的表面形状在由包含第I以及第3方向的双方的平面规定的截面上由包含朝着该柱状部的内部突出的I个或者I个以上的凹陷形状的线段规定。再有，作为具备如以上所述那样的构造的电子倍增部的第3方式，优选在多级倍增极的各个，多个柱状部中的至少任意一个柱状部在由包含第I以及第3方向的双方的平面规定的截面上具有以由沿着第I方向的长度规定的该柱状部的宽度在该柱状部的外周面的任意一个位置上成为最小的方式被加工的截面形状。还有，上述第f第3方式的各个即使单独也能够实施，另外，第广第3方式中的2个以上的组合也能够实施。这些第f第3方式即使单独或者由其组合，也能够实现具有形成有二次电子放出面的区域中间变细的构造的倍增极、特别是柱状部。作为能够应用于上述第f第3方式中的至少任意一个方式的第4方式，优选在多级倍增极的各个，多个柱状部中至少任意一个柱状部的外周面中形成有单一的二次电子放出面的区域的表面形状为由I个或I个以上的曲面、I个或I个以上的平面、或者这些面的组合而构成。再有，作为第5方式，本专利技术所涉及的光电倍增管具备外围器、光电面、电子倍增部、以及阳极。外围器是将内部维持为减压状态的外围器，至少其一部分由基板所构成，该 基板具有设置面且由绝缘性材料形成。光电面被容纳于外围器的内部空间，并对应于通过外围器取入的光而将光电子放出至该外围器的内部。电子倍增部在被容纳于外围器的内部空间的状态下被配置于设置面上。另外，对于第5方式所涉及的光电倍增管的电子倍增部而言，能够应用上述第广第4方式中至少任意一个方式所涉及的电子倍增部。阳极在被容纳于外围器的内部空间的状态下被配置于设置面上，且是用于将在电子倍增部被级联倍增的电子中到达的电子作为信号进行取出的电极。作为能够应用于上述第5方式的第6方式，作为在邻接的倍增极之间的彼此面对面的区域的关系，一方的倍增极中的柱状部的外周面中形成有单一的二次电子放出面的区域与另一方的倍增极中的柱状部的外周面中形成有单一的二次电子放出面的区域优选在由包含所述第I以及第3方向的双方的平面规定的截面上具有在彼此远离的方向上凹陷的表面形状。作为能够应用于上述第5 第6方式中至少任意一个方式的7方式，外围器也可以由下侧框架、上侧框架、侧壁框架构成。下侧框架，具有设置面的至少一部分由绝缘材料所构成。上侧框架以与下侧框架相对的方式被配置，具有与下侧框架的设置面面对面的面的至少一部分由绝缘材料所构成。侧壁框架被设置于上侧框架以及下侧框架之间，并具有包围电子倍增部以及阳极的形状。另外，在该第7方式中，电子倍增部和阳极优选在彼此仅间隔规定距离的状态下被配置于设置面上。作为能够应用于上述第5 第7方式中至少任意一个方式的8方式，该光电倍增管也可以具备多个凹陷部，该多个凹陷部在仅间隔规定距离的状态下被配置于设置面上，且分别沿着设置面上的第2方向延伸。在该第8方式中，优选多级倍增极分别以其基座部位于多个凹陷部之间的方式被配置于该设置面上。还有，本专利技术所涉及的各个实施例根据以下的详细的说明以及附图而能够充分地理解。这些实施例单单是为了例示而表示的例子，并不应该认为是限定本专利技术。另外，本专利技术的进一步的应用范围通过以下的详细的说明而可以明了。然而，详细的说明以及特定的事例表示本专利技术的优选的实施例，但仅是为了例示而表示，对于本领域技术人员来说，本专利技术的范围中的各种各样的变形以及改良显然是根据该详细的说明而不言而喻的。专利技术的效果根据本实施方式所涉及的光电倍增管，电子倍增部由沿着平行于下侧框架的相对面的第I方向依次配置的多级倍增极所构成。另外，由包含第I方向并且垂直于下侧框架的相对面的面规定的倍增极中的各个柱状部的截面具有沿着第I方向的宽度在该柱状部的下侧框架侧端部与上侧框架侧端部之间成为最小的形状。如以上所述，通过将柱状部中的二次电子放出面的形状加工成沿着该柱状部的高度方向凹陷的形状，从而能够有效地修正从二次电子放出面向下侧框架或者上侧框架的电子的轨道。附图说明图I是表示本专利技术所涉及的光电倍增管的一个实施方式的构成的立体图。·图2是图I的光电倍增管的分解立体图。图3是图I的侧壁框架的平面图。图4是表示图I的侧壁框架以及下侧框架的主要部分的一部分剖视立体图(包含沿着图I的光电倍增管的II-II线的截面)。图5是沿着图I的光电倍增管的V-V线的截面图。图6是图I的侧壁框架以及下侧框架的特别是电子倍增部附近的一部分剖视立体图。图7是用于说明图6的电子倍增部以及其构成要素的构造的图，(A)是图6的电子倍增部的一部分剖视图，(B)是表示柱状部的形状的立体图，(C)是表示柱状部表面的形状的立体图。图8是用于说明柱状部的构造的图，(A)是沿着图7 (B)的1_1线的柱状部的一部分剖视图，(B)是表示由曲线实现(A)中的截面形状的情况下的变形的图，(C)是表示由直线实现(A)中的截面形状的情况下的变形的图。图9是用于说明形成有二次电子放出面的柱状部表面的加工模拟的图。图10是沿着图I的光电倍增管的II-II线的截面，且是用于说明构成电子倍增部的一部分的倍增极(形成有二次电子放出面的柱状部)的一个例子的具体的位置状态的图。图11与图10相同是表示设置于光电倍增管内的倍增极(形成有二次电子放出面的柱状部)的其它的例子的构造本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：下井英树，久嶋浩之，井上圭祐，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：