微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件制造技术

本发明专利技术涉及半导体传感器技术领域，尤其是指微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件；该光电倍增管及其组件由背面每一微光电感单元提供信号，可允许正面光探测的大填充因数；背读式半导体光电倍增管的配置允许大面积填充，且不产生槽栅；背读式半导体光电倍增管的另一优点在于它允许无源和/或有源电子电路应用于背面或单独的特定集成电路(ASIC)来进行信号处理（模拟量和/或数码），同时不影响光子探测效率；各个微光电感单元可凸点键合到有匹配线路板的集成电路用于信号处理；该设计有来自电子体所产生的载流子的天然暗计数率和串扰抑制；此外，槽栅可进一步减少雪崩区域内微光电感单元之间的串扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体传感器
，尤其是指微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件。
技术介绍
固态光电探測器设计近年来取得技术进展，出现了半导体光电倍增管(SiP-M)，其可在磁场内部进行单光子探測和操作。从单光子发射计算机化断层显像(SP-ECT)的放射性核素显像到粒子物理学的正电子发射断层显像等诸多应用领域，半导体光电倍增管都被认为是光电倍增管的替代材料。半导体光电也有很多其他名称硅光电倍増管，金属电阻半导体AP-D (雪崩光电ニ极管),微像素AP-D,多像素光子计数器,盖格 模式AP-D,固态光电倍增管等等。许多研究团队和生产商都开发出了特定配置的SiP-M。一个半导体光电倍增管即大量小型相同运行于矩阵内盖格模式下的雪崩光电ニ极管(AP-D)。典型的半导体光电倍增管微光电感单元尺寸规格为10-100微米。每ー个微光电感单元作为ー个独立的光子计数器在盖格模式下工作，工作电压高于击穿电压5%至20%不等。当ー个光子冲击其中ー个微光电感单元时，可产生能引发盖格模式放电的自由载流子。当放电电流穿过ー个集成淬熄电阻时微光电感单元的电压将下降，低于击穿电压，此时放电淬熄。由于来本文档来自技高网...

【技术保护点】
微光电感单元，其特征在于，所述微光电感单元包括：具有第一侧和第二侧的p?型半导体衬底，第一侧设置一凹槽，凹槽内填充有导电材料，所述第二侧掺杂有n?型离子；p?型半导体衬底的第二侧设置p?型外延层，p?型外延层包括：靠近p?型半导体衬底并掺杂p?型离子的第一区域，和设置在第一区域上的第二区域，第二区域的掺杂的p?型离子高于所述第一区域的掺杂水平。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟焕昇，黄秋，彭旗宇，闫泽武，
申请(专利权)人：黄秋，
类型：发明
国别省市：