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本发明涉及半导体传感器技术领域，尤其是指微光电感单元及其背读式半导体光电倍增管及其组件；该光电倍增管及其组件由背面每一微光电感单元提供信号，可允许正面光探测的大填充因数；背读式半导体光电倍增管的配置允许大面积填充，且不产生槽栅；背读式半导体...
该专利属于黄秋所有，仅供学习研究参考，未经过黄秋授权不得商用。

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