检测器元件、辐射检测器和具有这样的检测器元件的医疗设备和用于制造检测器元件的方法技术

本发明专利技术涉及一种检测器元件，具有半导体转变器元件和在其上设置的用于至少一个阳极和至少一个阴极的金属触点，其中，至少一个所述金属触点包括由贵金属基和钌作为混合组成形成的接触材料所制成的接触层。此外，本发明专利技术涉及一种辐射检测器，其具有这样的具有含钌接触层的检测器元件和任选的具有用于读出检测器信号的分析电子设备，以及涉及具有这样的辐射检测器的医疗设备。此外，还说明了一种用于制造检测器元件的方法，其包括在转变器元件上涂覆至少一个金属触点的接触材料的步骤，其中该接触材料包括贵金属基和与钌作为混合组成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有半导体转变器元件和在其上设置的用于辐射检测器的金属触点的检测器元件、辐射检测器、医疗设备和用于制造这样的检测器元件的方法。
技术介绍
为检测离子辐射，特别是Y和X射线辐射，一般使用闪烁检测器或者基于半导体材料的直接转变的辐射检测器。在闪烁检测器中的入射辐射间接地通过激发电子和转变成其他波长的光子而转变。该光子然后由光子检测器采集，它的输出信号是入射辐射的量度。直接转变的辐射检测器与此不同，其能够把离子化的辐射直接转变为可读出的信号。通过特殊的半导体材料，直接转变的辐射检测器还可以对单个的光子进行计数。直接转变的辐射检测器为此通常具有检测器元件，它除了具有用于检测离子辐射 的辐射检测材料之外，还另外还具有由适宜触点材料制成的用于至少一个阳极和一个阴极的至少两个金属触点。在此，辐射检测材料和触点材料应该分别具有的特定的载流子激发能量，并且在理想的情况下在两种材料之间的界面处存在欧姆接触。因为通过电极(亦即阳极或阴极)与金属触点(例如钼触点或者金触点)接触，所以辐射检测材料与读出电子设备和检测器的电源以导电方式连接。迄今的直接转变辐射检测器基于半导体化合物如CdTe、C本文档来自技高网...

【技术保护点】
检测器元件(1)，具有半导体转变器元件(3)和在其上设置的用于至少一个阳极(A)和至少一个阴极(K)的金属触点，其中，至少一个所述金属触点包括由贵金属基和钌作为混合组成形成的接触材料所制成的接触层(6)。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·迪尔，M·斯特拉斯伯格，
申请(专利权)人：西门子公司，
类型：发明
国别省市：