一种太阳能电池的制作工艺制造技术

本发明专利技术一种太阳能电池的制作工艺采用了包括制绒、扩散前清洗、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝印烧结一整套独特的工艺流程技术方案，克服了现有技术的不足，实现了晶硅太阳能电池的工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶硅太阳电池工业化生产制作的
，涉及一种太阳能电池的制作工艺。
技术介绍
国内常规工艺采用的扩散炉为老式的开管扩散炉，炉口、炉中、炉尾方块电阻不均 匀，扩散炉不稳定，批次间方块电阻波动较大，从而使电池转换效率产生较大的波动。等离子刻蚀工序采用的是干法刻蚀工艺，设备工艺也不稳定，且等离子体对电池边缘会造成一定的损伤。
技术实现思路
本专利技术一种太阳能电池的制作工艺采用了包括制绒、扩散前清洗、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝印烧结一整套独特的工艺流程技术方案，克服了上述不足，实现了晶硅太阳能电池的工业化生产。I、制绒对于多晶硅，采用HNO3和HF水溶液对硅片进行腐蚀，根据HN03+HF溶液对硅的各向同性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。对于单晶硅，采用NaOH和IPA水溶液对硅片进行腐蚀，根据NaOH溶液对硅的各向异性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面。目的是在硅片表面进行表面织构化处理，以降低光在硅片表面的反射率，提高太阳电池的转换效率。HNO3和HF溶液与硅反应的总反应方程式为3Si+4HN03+18HF — 3H2SiF6+本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制作工艺包括制绒、扩散前清洗、扩散、等离子刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝印烧结等工艺流程，其特征在于：制绒：对于多晶硅，采用HNO3和HF水溶液对硅片进行腐蚀，根据HNO3+HF溶液对硅的各向同性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面；对于单晶硅，采用NaOH和IPA水溶液对硅片进行腐蚀，根据NaOH溶液对硅的各向异性腐蚀特性，在硅片表面进行织构化处理而形成绒面；HNO3和HF溶液与硅反应的总反应方程式为：3Si+4HNO3+18HF→3H2SiF6+4NO+8H2ONaOH溶液与硅反应的总反应方程式为：Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2扩散前清洗：采...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱惠民，尹云坤，罗进，周东明，
申请(专利权)人：云南天达光伏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：