本发明专利技术公开了一种太阳能电池扩散工艺，依次包括以下步骤：将硅片放置在扩散炉中，在800℃以下以300-600sccm的速率通入氧气8-20min；用5-20min将炉内温度升至830-840℃，整个升温过程中持续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气；保持炉内温度为830-840℃，继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气5-20min；保持炉内温度为830-840℃时间为5-10min后将炉内温度降至常温并取出硅片测其方块电阻。本发明专利技术步骤2和3中的氧气和氮气的比例为1：5-1：7，能解决扩散方阻中间点偏高的问题，有效改善方阻的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种太阳能电池扩散工艺，依次包括以下步骤：将硅片放置在扩散炉中，在800℃以下以300-600sccm的速率通入氧气8-20min；用5-20min将炉内温度升至830-840℃，整个升温过程中持续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气；保持炉内温度为830-840℃，继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气5-20min；保持炉内温度为830-840℃时间为5-10min后将炉内温度降至常温并取出硅片测其方块电阻。本专利技术步骤2和3中的氧气和氮气的比例为1：5-1：7，能解决扩散方阻中间点偏高的问题，有效改善方阻的均匀性。【专利说明】一种太阳能电池扩散工艺
本专利技术涉及太阳能电池制造领域，具体涉及一种太阳能电池扩散工艺。
技术介绍
随着高科技产业带动光伏产业的快速发展，太阳能电池的制造技术越来越成熟， 新技术与新的工艺方法不断应运而出，制作高方阻已是技术革新的方向，但是随着扩散方 阻的提高，方阻均匀性会相应变差，不均匀度越来越大，影响了工艺的稳定控制同时也影响 后续烧结的效果。现有的制造高方阻电池的工艺较阐述不合理，扩散后的硅片均匀性较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池扩散工艺，制作90 Ω /sq高方阻，操作简洁方 便，能有效改善扩散方阻的均匀性。 本专利技术通过以下技术方案实现： 一种太阳能电池扩散工艺，依次包括以下步骤： 1) 扩散前氧化：将硅片放置在扩散炉中，在800°c以下以300-600sccm的速率通入氧气 8_20min ; 2) 升温扩散：用5-20min将炉内温度升至830-840°C，整个升温过程中持续通入流量比 为1:5~1:7的氧气和氮气； 3) 恒温扩散：保持炉内温度为830-840°C，继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气 5_20min ; 4) 降温出炉：保持炉内温度为830-840°C时间为5-10min后将炉内温度降至常温并取 出硅片测其方块电阻。 本专利技术进一步的改进方案是，步骤2以及步骤3中通入的氧气为100_160sccm、氮 气为 700-840sccm，时间均为 8-12min。 本专利技术与现有技术相比具有以下优点： 本专利技术步骤2和3中的氧气和氮气的比例为1 :5_1 :7,能解决扩散方阻中间点偏高的 问题，有效改善方阻的均匀性。 【具体实施方式】： 下面选取制绒后的硅片各500片，用现有工艺和本专利技术的工艺分别扩散： 现有工艺对比例1 将硅片放置在扩散炉中，在800°C以下以600sccm的速率通入氧气20min ;用5min将 炉内温度升至830°C，整个升温过程中持续通入流量比为1:2的氧气和氮气；保持炉内温度 为830°C，继续通入流量比为1:2的氧气和氮气20min ;保持炉内温度为820-830°C时间为 5-10min后将炉内温度降至常温并取出硅片测其方块电阻。 实施例1 一种太阳能电池扩散工艺，包括以下步骤： 1)扩散前氧化：将硅片放置在扩散炉中，在800°c以下以600sccm的速率通入氧气 20min ； 2) 升温扩散：用12min将炉内温度升至840°C，整个升温过程中持续通入流量比为1:7 的氧气和氮气，具体的是氧气lOOsccm，氮气为700sccm， 3) 恒温扩散：保持炉内温度为840°C，继续通入流量比为1:7的氧气和氮气12min，具 体的是氧气lOOsccm，氮气为700sccm ; 4) 降温出炉：保持炉内温度为840°C时间为lOmin后将炉内温度降至常温并取出硅片 测其方块电阻。 测得现有工艺对比例1与实施例1的对比数据如下： 【权利要求】1. 一种太阳能电池扩散工艺，其特征依次包括以下步骤： 1) 扩散前氧化：将硅片放置在扩散炉中，在800°c以下以300-600sccm的速率通入氧气 8_20min ; 2) 升温扩散：用5-20min将炉内温度升至830-840°C，整个升温过程中持续通入流量比 为1:5~1:7的氧气和氮气； 3) 恒温扩散：保持炉内温度为830-840°C，继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气 5_20min ; 4) 降温出炉：保持炉内温度为830-840°C时间为5-10min后将炉内温度降至常温并取 出硅片测其方块电阻。2. 如权利要求1所述的一种太阳能电池扩散工艺，其特征在于：步骤2以及步骤3中 通入的氧气为100_160sccm、氮气为700_840sccm，时间均为8_12min。【文档编号】H01L21/22GK104157732SQ201410372147【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月31日 优先权日:2014年7月31日 【专利技术者】孙飞龙, 翟俊杰, 何晨旭, 朱姚培 申请人:江苏荣马新能源有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池扩散工艺，其特征依次包括以下步骤：1）扩散前氧化：将硅片放置在扩散炉中，在800℃以下以300‑600sccm的速率通入氧气8‑20min；2）升温扩散：用5‑20min将炉内温度升至830‑840℃，整个升温过程中持续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气；3）恒温扩散：保持炉内温度为830‑840℃，继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气5‑20min；4）降温出炉：保持炉内温度为830‑840℃时间为5‑10min后将炉内温度降至常温并取出硅片测其方块电阻。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙飞龙，翟俊杰，何晨旭，朱姚培，
申请(专利权)人：江苏荣马新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。