一种晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜的制备方法技术

一种晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜的制备方法，包括步骤1.在电池片背面形成一层金属铝膜；步骤2.在电池片背面覆盖与设计电极形状相同的石蜡；步骤3.将覆盖了电极形状石蜡的电池片置于电解池中，通电使金属铝膜未被石蜡遮档的部分被氧化成氧化铝；步骤4.从电解池中取出电池片，清洗电池片背面的石蜡；步骤5.清洗后的电池片进行退火，退火完成后使其自然冷却。采用本发明专利技术所述的晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜的制备方法，工艺过程简单，各步骤使用实验室设备即可完成全部钝化膜和电极制备过程，增强了电池对长波光的吸收，降低了电池背表面的复合，提升了太阳能电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池生产制造领域，涉及。
技术介绍
为了提高晶体硅电池的转换效率，减少电池片的表面复合是一种有效的方法，这种效果称做钝化。在电池片的正面，减反射薄膜起到了良好的表面钝化作用；在电池片的背面，经过研究人员的分析和测试，铝背场的钝化效果还有很大的提升空间。研究人员从这个角度开发了背钝化电池，即通过在电池片背面镀钝化膜的方式来提升钝化效果。背钝化电池降低了电池片背面的载流子复合，增强了长波光的响应，提高了电池的开路电压，最终电池的效率也将得到提升。Si02、非晶硅和氧化铝都可以作为背钝化膜，目前的背钝化电池常采用氧化铝作为背钝化膜。现有技术采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)沉积技术或ALD (原子层沉积)沉积技术在电池片背面生成钝化膜，PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性强，容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术。这两种沉积技术采用的设备昂贵，成本较高。
技术实现思路
为克服传统技术钝化膜生成工艺复杂，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1.在电池片背面形成一层金属铝膜；步骤2.将金属铝膜氧化成氧化铝；步骤3.检验电池片背部是否氧化完成，是则进入步骤4，否则返回步骤2；步骤4.清洗后的电池片进行退火，退火完成后使电池片自然冷却。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡蔚，吴婧，王明聪，路忠林，林洪峰，张凤鸣，
申请(专利权)人：天威新能源控股有限公司，
类型：发明
国别省市：