一种太阳能电池制造方法技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明专利技术烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明专利技术利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳能电池选择性掺杂的问题。提高了金属电极以下的区域的掺杂浓度，降低了串联电阻，减小了电极以外区域的掺杂浓度减少了光生载流子的复合，提高了短路电流。而非牺牲性的氮化硅掩蔽层的使用既可以防止其他杂质元素扩散进入硅片，又可以将工艺中的氮化硅刻蚀槽为主栅线的对准标记，使生产时的对准更加简单化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
自上世纪的50年代开始，人们通过研发多种太阳能电池的结构和工艺制备方法，如激光刻槽埋栅电池，丝网印刷电池，高效背面点接触电极电池，绒面电池等，来提高太阳能电池的效率。太阳能电池的效率从最初的数个百分点提高到目前的晶体硅电池18%以上。硅基太阳能电池已成为了世界清洁能源的主要来源。但是，太阳能电池的效率还不能满足人们的需要，为了能更好的推广太阳能电池的应用，必须研究新型的制备工艺和电池结构，以提高电池效率。而选择性掺杂太阳能电池(Selective emitter solar cell, SEsolar cell)是人们实现高效率、低成本的太阳能电池制备的新方法之一。现有的选择性掺杂工艺方法有很多如两步扩散法、丝网印刷磷浆法、扩散掩膜法 等等。两步扩散法就是先对电极区重扩散，再对整个发射区轻扩散。丝网磷浆法是用丝网在局部印刷高浓度磷浆，通过其扩散与挥发，一次扩散就能使电极区形成重掺杂，其他区域形成轻掺杂。扩散掩膜法就是先轻掺杂，再进行激光或者光刻掩膜，然后再对电极区进行二次重掺杂。这些工艺虽然能提高工作效率，但是由于工序流程繁琐，生产成本高，进行大规模工业本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池制造方法，包括以下步骤：第一步、对制绒后的P型硅片衬底进行预掺杂，形成P?N结；第二步、硅片表面沉积一层氮化硅层；第三步、硅片表面开设电极窗口；第四步、利用掺磷的二氧化硅对硅片表面进行二次沉积，在硅片表面形成磷硅玻璃层，同时完成对硅片电极窗口区域的选择性掺杂；第五步、用氢氟酸缓冲液处理硅片，去除硅片表面的磷硅玻璃层，保留氮化硅层作为抗反射层；第六步、对硅片的电极窗口进行浆料丝网印刷并烧制形成金属电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：花国然，王强，张竹青，曹海平，周雨薇，朱海峰，居志兰，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：