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本发明涉及一种太阳能电池制造方法，巧妙的利用氢氟酸缓冲液对二氧化硅、氮化硅的刻蚀比，保留氮化硅掩蔽层作为电池的抗反射层，因此本发明烧制电极之前无需再单独制作抗反射层，简化了工艺，提高了生产效率。本发明利用氮化硅对杂质的阻挡性很好的解决了太阳...
该专利属于南通大学所有，仅供学习研究参考，未经过南通大学授权不得商用。

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