FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法技术

一种FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法，涉及一种光电领域复合薄膜的制备方法，包括步骤：利用钛酸四丁酯水解得到TiO2溶胶；利用AgNO3制备Ag溶胶；将TiO2溶胶和Ag溶胶混合得到掺Ag的TiO2溶胶；制备掺Ag的先驱体Ag/TiO2薄膜；制备含铁的溶胶，再在Ag/TiO2薄膜上覆盖上含铁的溶胶，得到含铁的Ag/TiO2薄膜前驱体；硫化；退火处理，制得FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜。本发明专利技术省去了合成Ag2S的工艺过程，降低成本；FeS2/Ag2S/TiO2三相界面结合工艺能够得到有效保证，复合膜与基片之间附着牢固可靠；本发明专利技术的光电转换效率可提高3%～4%以上，易于推广应用。?

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电领域复合薄膜的制备方法，特别是一种具有良好光电性能的FeS2/Ag2S/Ti02复合薄膜的制备方法。
技术介绍
TiO2是一种禁带宽度适中、化学稳定性和耐腐蚀性良好、廉价无毒的半导体材料，特别是纳米尺寸的TiO2多孔膜，由于具有较大的比表面积和易于载流子传输等优点，一直以来都是人们研究的重点。但是单独使用TiO2作为光电极时，由于其禁带宽度较大，对可见光的利用率低，只能吸收波长小于387 nm的紫外光，影响了在太阳能电池领域的应用。为了提高TiO2对可见光的吸收利用效率，进一步展宽其光谱响应范围，可以采用窄禁带半导体与之复合敏化来实现。在太阳能电池中，利用窄禁带半导体作为光敏化剂具有很多优点比如通过控制半导体材料的尺寸和掺杂等手段来调节它们的禁带，达到调节吸收光谱 与太阳光谱分布相匹配的目的；使用窄禁带半导体作为光吸收层能够产生比较大的量子效率等。因此有人采用溶胶一凝胶(Sol-Gel)方法制备了 TiO2纳米晶多孔薄膜，利用溶胶一凝胶加后续硫化热处理的方式在TiO2多孔膜基底上沉积了一层FeS2，从而得到了 FeS2/Ti02复合薄膜；也有人研制出了银掺杂T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1.?利用钛酸四丁酯水解得到TiO2溶胶；S2.?利用AgNO3制备Ag溶胶；S3.?将TiO2溶胶和Ag溶胶混合得到掺Ag的TiO2溶胶；S4.?制备掺Ag的先驱体Ag/TiO2薄膜；S5.?利用溶胶?凝胶法制备含铁的溶胶，再利用浸渍?提拉法在Ag/TiO2薄膜上覆盖上含铁的溶胶，得到含铁的Ag/TiO2前驱体薄膜；S6.?硫化，得到FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜；S7.?退火处理，制得FeS2/Ag2S/TiO2复合薄膜成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢森锴，喻亮，姜艳丽，卢炳雄，韦永森，黄平，陈壁滔，彭德，
申请(专利权)人：桂林师范高等专科学校，
类型：发明
国别省市：