太阳能电池的制造方法技术

一种太阳能电池的制造方法，包含：步骤A：利用干式蚀刻方式蚀刻一第一导电型基板，使其一入光面成为高低起伏状，且该入光面还形成一个等离子破坏层；步骤B：氧化该等离子破坏层以转变成一个氧化层；步骤C：利用湿式蚀刻方式移除该氧化层；步骤D：热扩散处理以形成一个第二导电型射极层。通过该氧化制程将该等离子破坏层氧化，使本发明专利技术在热扩散处理前可以省略已知方法中的KOH蚀刻步骤，并且只需要一次的湿式蚀刻即可移除该氧化层，大幅缩短制程时间、提升产能，可兼顾量产的可行性及太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种以反应式离子蚀刻(RIE)技术进行表面粗糙化后的制程改良的。
技术介绍
一般硅晶太阳能电池的制程，是将一块P型的硅基板进行热扩散(thermaldiffusion)处理,使该基板表面形成一个η型的射极层,进而形成p-η接面。但研究发现当该电池的入光面为上下凹凸的粗糙表面时，能降低光线反射，提升光线入射到电池内部的比例，并提升转换效率。因此目前有一种改良制程，是在扩散制程之前利用反应式离子蚀刻(Reactive Ion Etching,简称RIE)方式,蚀刻基板表面而形成粗糙表面。参阅图1，虽然RIE制程能蚀刻基板11而达到基板11表面凹凸的需求，但此制程·中的带电粒子(等离子)也会因此与基板11材料反应，使基板11表面形成一等离子破坏层12，该等离子破坏层12的存在将增加载流子的再结合率(Recombination)，因而会降低太阳能电池的光电转换效率，所以在RIE制程之后，必需再通过湿式蚀刻方式移除该等离子破坏层12，由于等离子破坏层12的材料是以硅(Si)、硅的氧化物(SiOx)为主，通常必需进行两次蚀刻才能移除，分别是以氢氟酸(HF)蚀刻液蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法，包含：步骤A：利用干式蚀刻方式蚀刻一个第一导电型基板，使该第一导电型基板的一个入光面成为高低起伏状，且该入光面还形成一个等离子破坏层；其特征在于，该太阳能电池的制造方法还包含下列步骤：步骤B：氧化该等离子破坏层，使该等离子破坏层转变成一个氧化层；步骤C：利用湿式蚀刻方式移除该氧化层；步骤D：对该第一导电型基板进行热扩散处理，使该第一导电型基板的入光面形成一个第二导电型射极层，以完成制作该太阳能电池的半成品；步骤E：在该太阳能电池的半成品上形成电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文华，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：