本发明的目的在于，即使在小型化的情况下，也能够充分地维持真空容器的气密性。光电子倍增管(1)包括：平板状的下侧基板(4)、设置在该下侧基板(4)上的框状的框架(3b)、包含夹着低熔点金属而气密地接合于该框架(3b)的开口部的框架(3a)...

膜厚测定装置(1A)包括：测定光源(28)，其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15)；分光光学系统(30)及光检测器(31)，其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间...

以一定的入射角输入至透过型衍射光栅(20)的输入光脉冲(Pi)，按照各个波长进行分光而以对应于该波长的出射角被输出，由反射镜(41、42、43)顺次反射后，以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20)，从透过型衍射光栅(20)以一定...

本发明的分光模块中，以比衍射层(6)厚的方式，沿着衍射层(6)的周缘(6a)一体形成凸缘部(7)，且在透镜部(3)的曲面(3a)中与凸缘部(7)接触的部分为粗糙面。由此，由与曲面(3a)的粘着性高的凸缘部(7)包围衍射层(6)。因此，即...

可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度。将激光(L)照射于加工对象物(1)，将沿着切断预定线(5)延伸且在厚度方向上排列的改质区域(17、27、37、47)形成于加工对象物(1)。在此，以改质区域形成部分(17a)与改质...

本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：具有沿框体(5)的内表面(40a)上的电子倍增方向排列的多级的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)；在框体(5)内与电子倍增部(33)隔开设置的光电面(41)以及阳极部(34)，倍增极(33...

本发明涉及一种光电倍增管(1)，具有：互相相对配置、各自的相对面(20a)、(40a)由绝缘材料构成的上侧框架(2)以及下侧框架(4)；与框架(2)、(4)一起构成框体的侧壁框架(3)；从下侧框架(4)的相对面(40a)上的一端侧朝向另...

本发明的光电倍增管(1)，其特征在于：具备由上侧框架(2)以及下侧框架(4)构成的箱体(5)、具有被排列于下侧框架(4)上的倍增极(33a～331)的电子倍增部(33)、光电面(41)以及阳极部(34)；在上侧框架(2)的相对面(20a...

本发明的分光模块(1)中，边缘部(7)以比衍射层(6)厚的方式沿着衍射层(6)的周缘(6a)一体地形成。由此，使用母模形成衍射层(6)及边缘部(7)的情况的脱模时，可防止以沿着透镜部(3)的凸状曲面(3a)的方式形成的衍射层(6)维持于...

提高改质点的控制性。激光加工装置(100)，具备：将第1脉冲激光(L1)射出的第1激光光源(101)、将第2脉冲激光(L2)射出的第2激光光源(102)、将脉冲激光(L1、L2)的偏振方向分别变化的1/2波长板(104、105)、将偏振...

闪烁信号检测装置(1)包括受光部(10)、行选择部(20)、读出部(30)、检测部(40)及控制部(50)。通过行选择部(20)，在第1期间，使受光部(10)的第(2i-1)行的各像素部(P2i-1，n)的光电二极管所产生的电荷储存于电...

固体摄像装置1具备受光部(10)、第1行选择部(20)、第2行选择部(30)、第1读出部(40)、第2读出部(50)和控制部(60)。通过第1读出部(40)输出由第1行选择部(20)选择的受光部(10)的行的像素部的数据来获得摄像数据，...

光检测器(1)中，由低电阻Si基板(3)、绝缘层(4)、高电阻Si基板(5)及Si光电二极管(20)，构成相对于配置于凹部(6)内的InGaAs光电二极管(30)的气密密封封装，由低电阻Si基板(3)的电气通路部(8)及配线膜(15)，...

由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)的表面(10a)通过阳极接合而接合，因而以熔融处理领域(13)作为起点而产生于分断用加工对象物(10A)的厚度方向的龟裂(17)，连续且几乎不改变其方向地，到达加工对象物(...

由于硅基板(12)的主面成为(100)面，因而以熔融处理区域(13)作为起点而产生的龟裂(17)，向硅基板(12)的劈开方向(与硅基板(12)的主面垂直的方向)伸展。此时，由于加工对象物(1A)的背面(1b)与分断用加工对象物(10A)...

本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(11)。积分电路(11)包含放大电路(20)、电容元件(C2)及第2开关(SW2)。放大电路(20)具有由PMOS晶体管(T1)及NMOS晶体管(T2)各自的漏极端子互相连接而成...

本发明的光检测装置(1)具备光电二极管(PD)及积分电路(10)。积分电路(10)包含放大电路(20)、电容元件(C)、第1开关(SW1)及第2开关(SW2)。第2开关(SW2)设置于被输入基准电位(Vref)的基准电位输入端子、与放大...

层叠配线基板(1)中，具有规定的比电阻的低电阻硅基板(2)与具有比该规定的比电阻高的比电阻的高电阻硅基板(4)夹着绝缘层(3)而层叠。在低电阻硅基板(2)上，设置有由环状槽(5)包围的电气通路部(6)，在高电阻硅基板(4)的背面(4b)...

以在并列配置多个单元的情况下能够防止产生相对于放射线的不敏感带为目的。该放射线检测单元(1)具备包含与闪烁器(3)相对配置的多个PD元件(13)以及对应于PD元件(13)排列的输出电极垫(23)的PD阵列(5)、处理来自PD元件(13)...

一种光电二极管阵列PD1，包括：n型半导体基板，其一面为被检测光的入射面；在与半导体基板的入射面相反的检测面侧形成的作为光电二极管的多个pn结型光敏区域(3)；以及在半导体基板的检测面侧、在多个光敏区域(3)中的邻近的光敏区域(3)之间...