本发明的一个实施方式所涉及的影像传感器（１）排列有多个埋入型光电二极管（ＰＤ（ｍ，ｎ））。该埋入型光电二极管（ＰＤ（ｍ，ｎ））分别具备第１导电类型的第１半导体区域（１０）、形成于第１半导体区域（１０）上且第２导电类型的杂质浓度低的第２半...

本发明的一个实施方式所涉及的线性图像传感器（１），其排列有多个长形的埋入型光电二极管ＰＤ（ｎ）。各个该埋入型光电二极管ＰＤ（ｎ）具备：第１导电类型的第１半导体区域（１０）；长形的第２半导体区域（２０），其形成于第１半导体区域（１０）上，...

在非改质区域（２）介于中间的状态下，使龟裂（１７ａ）从改质区域（７ａ）朝加工对象物（１）的表面（１２ａ）产生，并且使龟裂（１７ｂ）从改质区域（７ｂ）朝加工对象物（１）的背面（１２ｂ）产生。由此，在形成多列改质区域（７）时，能够防止龟裂在...

一个实施方式的信号处理装置中，积分电路将来自光电二极管的电荷存储于积分电容元件，并输出对应于电荷的量的电压值。比较电路，当从积分电路输出的电压值达到基准值时，输出饱和信号。电荷注入电路对应于饱和信号，将极性相反的电荷注入到积分电容元件中...

本发明的一个实施方式所涉及的固体摄像装置（１），是电荷倍增型的固体摄像装置，具备生成对应于入射光量的电荷的摄像区域（１０）、接收来自摄像区域（１０）的电荷的输出寄存器部（２０）、以及将来自输出寄存器部（２０）的电荷倍增的倍增寄存器部（２...

本发明的一个实施方式所涉及的固体摄像装置（１）是电荷倍增型的固体摄像装置，具备生成对应于入射光量的电荷的摄像区域（１０）、接收来自摄像区域（１０）的电荷的多个输出寄存器部（２１～２４）、以及将来自多个输出寄存器部（２１～２４）的电荷分别...

本发明提供一种固体摄像装置，本发明的一实施方式的固体摄像装置（１）是电荷倍增型固体摄像装置，具备：生成对应于入射光量的电荷的摄像区域（１０）、接收来自摄像区域（１０）的电荷的输出寄存器部（２０）、将来自输出寄存器部（２０）的电荷倍增的倍...

由在一个面（１１）侧设置有排列有检测入射的Ｘ射线的多个检测像素的Ｘ射线检测部且另一个面（１２）成为Ｘ射线入射面的背面入射型的固体摄像元件（１０）以及设置于摄像元件（１０）的入射面（１２）上且用于波长比成为检测对象的Ｘ射线长的光的遮蔽的遮...

本发明的一个实施方式的固体摄像装置，为多端口型的固体摄像装置，其具备摄像区域、及多个单元。摄像区域具有多个像素列。多个单元生成基于来自摄像区域的电荷的信号。多个单元分别具有输出寄存器、多个倍增寄存器、及放大器。输出寄存器传输来自多个像素...

本发明涉及X射线发生装置。在X射线管(20)中，筒状体(25)中从凸缘部(26)向前侧突出的开口端部(27)保持靶(31)，该开口端部(27)被配置于X射线发生装置的前面嵌板(4)的贯通孔(4a)内。由此，靶(31)位于前面嵌板(4)的...

在X射线源(1)和X射线管(4)中，形成从真空管(20)的一端侧观看，遮挡靶支承体(18)与另一端侧开口部(34)的固定部分(W)的遮挡部(42)。由此，可以抑制真空管(20)的一端侧和固定部分(W)之间的放电发生。另外，由于真空管(2...

在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则...

光检测单元、光检测装置以及X射线断层摄像装置，本发明提供了一种安装作业性良好的光检测单元。在光检测单元(1)中，在由陶瓷的烧结体形成的支撑基板(20)的背面上，固定有2个安装用结构体(30)。在光检测单元(1)的制造工序中，各安装用结构...

当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出...

由取得半导体器件的不良观察图像（Ｐ２）的检查信息取得部（１１）、取得布图信息的布图信息取得部（１２）、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部（１３）构成不良分析装置（１０）。不良分析部（１３）具有分析区域设定部，该分析区域设定部通过...

本发明涉及一种光检测装置（１），其具备观测通过向样品照射激励光而产生的被检测光的积分球（２０）、以及可装卸地安装于该积分球（２０）的样品架（６０）；积分球（２０）具有用于导入激励光的激励光导入孔（２０１）、以及用于导入样品架（６０）所保...

本发明的固体摄像装置（１）包含：Ｎ个像素部（１０↓［１］～１０↓［Ｎ］）、跨阻电路（２０ａ、２０ｂ）、积分电路（３０ａ、３０ｂ）、差分运算电路（４０）。各像素部１０↓［ｎ］包含具有光电二极管的光电转换电路、保持该光电转换电路的输出电压的...

本发明涉及一种免疫色谱试验片的测定方法，其特征在于：在将被检测体滴落到免疫色谱试验片４１上后，在向免疫色谱试验片４１上的第１位置（带状区域４１ｃ）照射测定光的同时检测反射光以检测第１位置上的吸光度的变化，并且在向免疫色谱试验片４１上位于...

本发明涉及一种测定装置（１ａ），其具备：发光元件（２１、３１），向免疫色谱试验片（４１）照射测定光；光检测元件（２２），检测通过向免疫色谱试验片（４１）上的第１位置（带状区域（４１ｃ））照射测定光而产生的来自免疫色谱试验片（４１）的反射...

本发明涉及反射型光调制装置。反射型液晶装置（反射型光调制装置）（１）具备：包含透过光（Ｌ）的导电性材料的透明导电膜（２２）；沿着透明导电膜（２２）二维排列的金属制的多个像素电极（１６）；配置于多个像素电极（１６）和透明导电膜（２２）之间...