影像传感器制造技术

本发明专利技术的一个实施方式所涉及的影像传感器（１）排列有多个埋入型光电二极管（ＰＤ（ｍ，ｎ））。该埋入型光电二极管（ＰＤ（ｍ，ｎ））分别具备第１导电类型的第１半导体区域（１０）、形成于第１半导体区域（１０）上且第２导电类型的杂质浓度低的第２半导体区域（２０）、以覆盖第２半导体区域（２０）的表面的方式形成于第２半导体区域（２０）上的第１导电类型的第３半导体区域（３０）、以及用于从第２半导体区域（２０）取出电荷的第２导电类型的第４半导体区域（４０），第４半导体区域（４０）在第２半导体区域（２０）上间隔地配置有多个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及排列了多个埋入型光电二极管的影像传感器。
技术介绍
已知有例如二维排列有多个具备埋入型光电二极管的受光部的影像传感器。在该埋入型光电二极管中，例如在ρ型基板上形成有η型低浓度半导体区域，在该η型低浓度半导体区域的表面形成有薄的P型高浓度半导体区域。另外，为了读出电荷而将η型高浓度半导体区域形成于η型低浓度半导体区域。根据该埋入型光电二极管，因为能够完全使η 型低浓度半导体区域空乏化，所以能够完全地读出在ρη接合部所产生的电荷，并能够抑制漏电流的发生，从而光检测的S/N比表现卓越。在该埋入型光电二极管中，通过使光感应区域即η型低浓度半导体区域以及P型高浓度半导体区域的面积大面积化，从而能够增大光检测的灵敏度。可是，如果增大η型低浓度半导体区域的面积，那么所产生的电荷的读出变得不完全，而产生了电荷的读出残留。 其结果，会产生余像。关于该问题，专利文献1所记载的影像传感器从作为埋入型光电二极管中的光感应区域的η型低浓度半导体区域的端部朝着作为用于读出电荷的传送电极的η型低浓度半导体区域具有杂质的浓度梯度，并降低电位梯度。在专利文献1中，记载了由此降低了电荷的读出残留。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种影像传感器，其特征在于，是排列有多个埋入型光电二极管的影像传感器，所述埋入型光电二极管分别具备：第１导电类型的第１半导体区域；形成于所述第１半导体区域上且第２导电类型的杂质浓度低的第２半导体区域；以覆盖所述第２半导体区域的表面的方式形成于所述第２半导体区域上的第１导电类型的第３半导体区域；以及用于从所述第２半导体区域取出电荷的第２导电类型的第４半导体区域，所述第４半导体区域在所述第２半导体区域上间隔地配置有多个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：太田庆一，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP