本发明提供的一种光谱测定装置，具备将测定对象的试料（Ｓ）配置在内部而观测从试料（Ｓ）产生的被测定光的积分球（２０），以及用于保持对试料（Ｓ）进行冷却的冷媒（Ｒ），并且以至少一部分面对所述积分球（２０）内的方式定位的杜瓦瓶（５０）。通过起...

本发明的光谱测定装置（１Ａ）具备用于观测从测定对象试料（Ｓ）发出的被测定光的积分球（２０）、以覆盖试料（Ｓ）的形式保持用于调节试料（Ｓ）温度的介质（Ｒ），并且以第２容器部（５０ｂ）面对积分球（２０）内部的形式进行定位的杜瓦瓶（５０）。通...

提供能够抑制聚光于加工对象物的内部的激光的像差的激光加工装置。激光加工装置（２００）具备射出激光（Ｌ）的激光光源（２０２）、以及对由激光光源（２０２）所射出的激光（Ｌ）进行调制的反射型空间光调制器（２０３）；在激光（Ｌ）的光路上的激光光...

本发明涉及光调制装置和激光加工装置。光调制装置（１０１Ａ）包括：反射型ＳＬＭ（１０７），其调制沿按第１方向延伸的第１光路而入射的激光（Ｌｒ）；电介质多层膜镜（１０６），形成于使照明光（Ｌｉ）透射的透光性部件（１０５）上，将从反射型ＳＬＭ...

本发明提供了一种硅发光元件，具备：具有第１面（１０ａ）和位于该第１面相反侧的第２面（１０ｂ）的第１导电类型的硅衬底（１０）；设置在硅衬底（１０）的第１面（１０ａ）上的绝缘膜（１１）；设置在绝缘膜（１１）上不同于第１导电类型的第２导电类型...

本发明涉及分光测定装置、分光测定方法以及分光测定程序。具备在内部配置试料（Ｓ）的积分球（２０）、对来自试料（Ｓ）的被测定光进行分光从而取得波长光谱的分光分析装置（３０）以及数据解析装置（５０）从而构成分光测定装置（１Ａ）。解析装置（５０...

本发明提供一种光学元件、激光振荡装置和激光放大装置。本发明的光学元件（２０Ａ）由具有光透过性的介质构成，且具有比空气的折射率大的折射率，使入射的激光在壁面（２０ａ）多次反射并在内部传播，该光学元件（２０Ａ）具备：入射窗口（２１），位于壁...

本发明涉及光源装置，其具备可对多个发光组件的冷却效果均匀提升的构造。该光源装置（１），具备：用于收纳紫外光ＬＥＤ（１０）的前部框体（３）；及用于冷却前部框体（３）的冷却构造。各紫外光ＬＥＤ（１０）是通过热传导构造保持在前部框体（３）内。...

本发明涉及像差修正方法、使用其的激光加工方法、激光照射方法、像差修正装置和像差修正程序。本发明的一个实施方式所涉及的像差修正方法中，在将激光聚光于具有光透过性的介质（６０）内部的激光照射装置（１）的像差修正方法中，以使激光的聚光点位于在...

本发明涉及激光加工装置以及激光加工方法。激光加工装置（１）具备激光光源（１０）、空间光调制器（２０）、控制部（２２）以及聚光光学系统（３０）。空间光调制器（２０）输入从激光光源（１０）输出的激光，分别在二维排列的多个像素中展示调制激光的...

本发明的目的在于更加正确且详细地进行脑部疾病的诊断。诊断就诊者的脑部疾病的脑部疾病诊断系统（１）的诊断服务器（１０）包括：取得部（１１），其取得就诊者的脑部图像并作为取得图像；区域设定部（１２），其在取得图像中设定多个区域；个别指标值算...

本发明涉及玻璃熔接方法。在沿着熔接预定区域（Ｒ）照射激光（Ｌ１）而使玻璃层（３）熔融时，通过沿着熔接预定区域（Ｒ）照射具有第１热输入量的激光（Ｌ１）而使玻璃层（３）熔融，在与激光（Ｌ１）的行进方向大致正交的方向上的玻璃层（３）的熔融率超...

本发明涉及分光测定装置、分光测定方法以及分光测定程序。具备在内部配置试料（Ｓ）的积分球（２０）、通过入射开口部（２１）将激励光供给到积分球（２０）的内部的照射光供给部（１０）、在积分球（２０）的内部保持试料（Ｓ）的试料容器（４００）、对...

本发明涉及一种玻璃熔接方法，将玻璃层（３）固定于玻璃部件（４）上时，从熔接预定区域（Ｒ）中的照射开始位置（Ａ）起至该照射开始位置（Ａ）为止沿着熔接预定区域（Ｒ）而照射激光（Ｌ１），之后，连续地沿着从熔接预定区域（Ｒ）中的照射开始位置（Ａ...

膜厚测量装置（１Ａ）被构成为具有：测量光源（２８），其将包含第１波长（λ１）的测量光成分及第２波长（λ２）的测量光成分的测量光供给至测量对象物（１５）；分光光学系统（３０），其将来自测量对象物（１５）的上面的反射光与来自下面的反射光的干...

光电二极管阵列（ＰＤＡ１）中，多个光检测通道（ＣＨ）包括具有ｎ型半导体层（３２）的基板（２２）。光电二极管阵列（ＰＤＡ１）包括：ｐ－型半导体层（３３），其形成于ｎ型半导体层（３２）上；电阻（２４），其对于各光检测通道（ＣＨ）设置并且一端...

准备ｎ－型半导体基板（１），其具有彼此相对的第１主面（１ａ）及第２主面（１ｂ），并且在第１主面（１ａ）侧形成有ｐ＋型半导体区域（３）。对ｎ－型半导体基板（１）的第２主面（１ａ）上的至少与ｐ＋型半导体区域（３）相对的区域照射脉冲激光，形成...

ｐ－型半导体基板（２０）具有相互相对的第１主面（２０ａ）及第２主面（２０ｂ），且包含光感应区域（２１）。光感应区域（２１）由ｎ＋型杂质区域（２３）、ｐ＋型杂质区域（２５）、及对ｐ－型半导体基板（２０）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在ｐ...

一种半导体光检测元件（ＳＰ），包括：硅基板（２１），其由第１导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第１主面（２１ａ）及第２主面（２１ｂ），并且在第１主面（２１ａ）侧形成有第２导电类型的半导体层（２３）；以及电荷传输电极（２５），其设置于第...

激光加工装置（１００）具有射出激光（Ｌ）的激光光源（１０１）和控制激光（Ｌ）的脉冲宽度的激光光源控制部（１０２），通过使聚光点（Ｐ）对准加工对象物（１）的内部并照射激光（Ｌ），从而沿着加工对象物（１）的切断预定线（５），在加工对象物（１...