半导体光检测元件制造技术

一种半导体光检测元件（ＳＰ），包括：硅基板（２１），其由第１导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第１主面（２１ａ）及第２主面（２１ｂ），并且在第１主面（２１ａ）侧形成有第２导电类型的半导体层（２３）；以及电荷传输电极（２５），其设置于第１主面（２１ａ）上，且传输所产生的电荷。在硅基板（２１）上，在第２主面（２１ｂ）侧形成有具有比硅基板（２１）更高的杂质浓度的第１导电类型的累积层（３１），并且在第２主面（２１ｂ）上的至少与半导体区域（２３）相对的区域形成有不规则的凹凸（１０）。硅基板（２１）的第２主面（２１ｂ）的形成有不规则的凹凸（１０）的区域光学性地露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体光检测元件。
技术介绍
作为在近红外的频带中具有高光谱灵敏度特性的光电二极管，已知有使用化合物半导体的光电二极管(例如参照专利文献1)。在专利文献1所记载的光电二极管中包括 第1受光层，其由InGaAsN、InGaAsNSb、及InGaAsNP中的任一者构成；以及第2受光层，其具有波长比第1受光层的吸收端更长的吸收端，且由量子阱的构造构成。先行技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-153311号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，如上所述的使用化合物半导体的光电二极管仍然很昂贵，制造步骤也复杂。 因此，谋求廉价、易于制造且在近红外的频带中具有充分的光谱灵敏度的硅光电二极管的实用化。对于硅光电二极管而言，一般其光谱灵敏度特性在长波长侧的极限为IlOOnm左右，但IOOOnm以上的波长带中的光谱灵敏度特性不充分。本专利技术的目的在于提供一种半导体光检测元件，其使用硅且在近红外的频带中具有充分的光谱灵敏度特性。解决问题的技术手段本专利技术的半导体光检测元件包括硅基板，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面及第2主面，并且在第1主面侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体光检测元件，其特征在于，包括：硅基板，其由第１导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第１主面及第２主面，并且在所述第１主面侧形成有第２导电类型的半导体区域；以及传输电极部，设置于所述硅基板的所述第１主面上，且传输所产生的电荷；在所述硅基板上，在所述第２主面侧形成有具有比所述硅基板更高的杂质浓度的第１导电类型的累积层，并且在所述第２主面上的至少与第２导电类型的所述半导体区域相对的区域形成有不规则的凹凸，所述硅基板的所述第２主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山村和久，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP