公开了用于在光刻过程期间减少粘附的方法、计算机程序产品和设备。减少物体与用于在光刻过程中支撑物体的改性表面的粘附的示例性方法可以包括：控制光源将光递送到原生表面，由此引起原生表面的至少一部分的烧蚀以增加原生表面的粗糙度，从而形成改性表面...

一种从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模版或晶片平台之类的光刻支撑件的工作表面移除污染物的设备和方法，其中支撑基底的基部具备一定表面轮廓以便朝向所述基部的中间部分较厚，使得当由所述基部支撑的基底在所述工作表面与所述基部之间被挤压时，所述...

描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后，所述衬底与所述夹持面之间建立温差，以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。

本文中的实施例描述一种用以为物体提供支撑的安全装置。所述安全装置包括壳体，所述壳体包括沿所述壳体的长度延伸的转动轴。所述安全装置还包括联接至所述转动轴的第一端的旋转电机、和联接至与所述转动轴的所述第一端相反的所述转动轴的第二端的安全闩锁...

一种用于确定衬底对准的设备和方法，其中利用空间相干辐射同时照射多个对准标记，并且并行地收集来自被照射标记的光以获得关于标记的位置和标记内的变形的信息。

一种应用测量校正的方法，包括确定正交子空间，正交子空间被用于将测量表征为数据图。正交子空间的第一轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相长干涉输出加上第一误差变量，并且正交子空间的第二轴线对应于来自量测系统的干涉仪的相消干涉输出加上第二误差变...

公开了一种用于光刻系统中的掩模版子场热控制的设备。该设备包括被配置为固定物体的夹具。夹具包括在空间上以图案布置的多个气体分布特征。该设备还包括气压控制器，该气压控制器被配置为单独地控制通过多个气体分布特征中的每个气体分布特征的气体流量，...

一种施加测量结果校正的方法，包括：确定用于表征所述测量结果的第一主分量和所述测量结果的第二主分量的正交子空间；以及将所述正交子空间转动第一角度，使得所述第一主分量转动以变成第一因子矢量，并且所述第二主分量转动以变成第二因子矢量。通过将所...

一种用于使用气动传感器来测量掩模版变形的系统和方法，其中喷嘴沿掩模版的侧面被放置，并且气动传感器生成指示传感器与掩模版的侧面的部分之间的距离的输出信号。来自传感器的掩模版变形测量结果可以被用作掩模版加热控制的输入。

一种被配置成将掩模版保持在掩模版平台上的固定平面中的夹持设备包括：夹具、传感器和控制器。所述传感器设置在所述夹具的前侧上且被配置成在掩模版交换过程期间检测所述掩模版在掩模版交换区域中的位置。所述掩模版的所述位置包括所述掩模版的后侧与所述...

一种用于清洁光刻系统中的支撑结构的表面的设备和方法，其中，清洁衬底具有至少一个电机，该至少一个电机使清洁衬底跨越该表面横向移动。清洁衬底可以设置有电源，该电源被安装在清洁衬底上并且可选择地电连接到电机。

一种用于在光刻工艺中使用的减少物体对表面的粘附的方法，该方法包括在控制计算机处接收用于被配置为对表面修改的工具的指令，以及基于在控制计算机处接收的指令以确定的方式形成具有沟和脊的修改表面，其中，脊通过减小修改表面的接触表面积来减少粘附。...

从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。

粘结设备(200)包括第一衬底(202)、第二衬底(204)、粘结层(206)、和加热元件(300)。所述粘结层(206)被设置在所述第一衬底(202)与第二衬底(204)之间。所述粘结层(206)被配置成将所述第一衬底(202)和第二...

一种用于确定衬底的对准的设备和系统，其中，利用空间相干辐射照射周期性对准标记，然后将所述空间相干辐射照射提供给紧凑集成光学器件以创建对准标记的自身图像，该图像可以被操纵(例如进行镜像、偏振)和合并以获取与标记位置和标记内变形有关的信息。...

公开了一种用于对处于多个位置(400；410)中的任何一个位置处的物体成像的系统，该系统包括：一个或多个分束器(420)，每个分束器(420)将来自物体的光分成成像束和连续束；以及用于每个分束器的光学元件，该光学元件接收成像束并且在物体...

一种光刻系统包括：被配置为产生辐射束的照射系统、被配置为支撑被配置为在束上赋予图案的图案形成装置的支撑部、被配置为将图案化束投影到衬底上的投影系统、以及包括照射器的对准系统。照射器包括光纤、光纤保护器(714)、包括被配置为支撑光纤保护...

公开了一种专用的粗糙化衬底，其被设置有适用于在半导体光刻装置中对夹具的表面进行原位粗糙化的磨料元件。还公开了一种使用所述粗糙化衬底的方法，其中所述粗糙化衬底被装载，被定位成与所述夹具相对，并且然后被压向所述夹具并被横向移动。

一种设置有抗反射涂层的衬底(50)，其中抗反射涂层由纳米结构层(52)组成。纳米结构可以通过如下方式来形成：沉积诸如SiO

描述了用于在半导体光刻术期间减小粘附和控制晶片与晶片台之间的摩擦力的方法和系统，其中晶片台上的突节的顶部具有一具有纳米尺度形貌的层。