用于在光刻设备中原位去除粒子的设备和方法技术

描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后，所述衬底与所述夹持面之间建立温差，以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在光刻设备中原位去除粒子的设备和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月27日提交的美国申请62/785,369的优先权，且该申请的全部内容以引用的方式而合并入本文中。
本专利技术涉及用于从诸如夹持结构(例如，用于在光刻设备内保持诸如掩模版、掩模、或晶片之类的装置的静电卡盘)之类的支撑件附近去除污染物的方法和系统。
技术介绍
光刻设备是将所期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上(通常施加到所述衬底的目标部分上)的机器。替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待要形成于晶片的单层上的电路图案。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上完成图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分。为了缩短曝光波长，并且因而减小最小可印制大小，使用波长在约5mm至约20nm范围内，例如在约13至约14nm范围内的电磁辐射。这种辐射被称为极紫外(EUV)辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或者基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射的源。EUV辐射可以使用等离子体来产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括：激光器，用于激发燃料以提供等离子体；和源收集器模块，用于容纳等离子体。等离子体可以例如通过将激光束在少量燃料(诸如适当燃料材料(例如锡)的液滴、或合适气体或蒸气(诸如Xe气体或Li蒸气之类)的流)处进行引导而形成。所形成的等离子体发射了输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器而被收集。辐射收集器可以是镜像式法向入射辐射收集器，该辐射收集器接收辐射并且将辐射聚焦成一束。所述源收集器模块可以包括封闭结构或腔室，该封闭结构或腔室被布置成提供真空环境以支持所述等离子体。这种辐射源被典型地称为激光产生等离子体(LPP)源。在也可使用激光器的替代系统中，辐射可以由使用放电形成的等离子体产生-放电产生等离子体(DPP)源。一旦产生辐射，就使用图案形成装置对所述辐射进行图案化，且然后将所述辐射传送到晶片的表面。呈静电卡盘(ESC)形式的夹持结构用于光刻设备中，例如，用以在扫描平台上保持图案化用掩模版。掩模版粒子污染(缺陷率)是EUV技术中的关键临界参数。为了减轻掩模版污染，可以通过所谓的冲洗来清洁用掩模版平台附近的体积。冲洗涉及在掩模版区域中提供高于正常的气流，以释放(去除)粒子并且将粒子从EUV系统中去除。然而，冲洗是相对缓慢的清洁过程，且具有有限效率。所述夹持结构也可以由所谓的“掩模版压印”来清洁，其中掩模版(可以是牺牲掩模版)压靠在夹持结构上，且然后被取出。在这里和其它地方，将理解到，短语“压靠在夹持结构上”包括由夹紧力引起的按压的情况。这个过程使得夹持结构上的粒子转移到所述掩模版。
技术实现思路
以下呈现了一个或更多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。这一概述不是所有预期实施例的详尽综述，且不旨在示出所有实施例的关键或重要元件，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或更多个实施例的一些构思，作为稍后呈现的更详细描述的序言。根据一个方面，披露了一种系统，其中通过夹持结构和诸如被定位成面对所述夹持结构的掩模版之类的物品来产生温差。可以通过加热所述物品而不是所述夹持结构、通过冷却所述物品而不是所述夹持结构、通过加热所述夹持结构而不是所述物品、通过冷却所述夹持结构而不是所述物品、或通过物品和夹持结构的其它差别的加热/冷却来产生所述温差。本专利技术的另外的特征和优点以及本专利技术的各实施例的结构和操作将参考附图在下文更详细地进行描述。注意到，本专利技术不限于本文描述的具体实施例。本文仅出于图示的目的来呈现这些实施例。基于本文包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。附图说明附图并入本文中并构成说明书的部分，图示了本专利技术，并与说明书一起进一步用于解释本专利技术的原理并使相关领域的技术人员能够制造和使用本专利技术。图1示出了根据本专利技术的实施例的光刻设备。图2是根据实施例的包括LPP源收集器模块的图1的设备的更详细视图。图3是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的布置的非比例视图。图4是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图5是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图6是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图7是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图8是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图9是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图10是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。图11是根据实施例的一个方面的用于使用清洁用基底和温差来清洁夹持结构表面的另一布置的非比例视图。通过下面结合附图给出的详细描述，本专利技术的特征和优点将变得更加清楚，其中，相同的附图标记始终表示相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同的、功能类似的、和/或结构类似的元件。具体实施方式本说明书公开了包括本专利技术特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例仅仅举例说明了本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的实施例。本专利技术由所附权利要求限定。所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考指示所描述的实施例可包括特定的特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括所述特定的特征、结构或特性。而且，这些短语不一定指的是相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应理解，无论是否被明确描述，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性都在本领域技术人员的知识范围内结合。在下面的描述中以及在权利要求中，可以使用术语“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”以及类似术语。除非另有说明，否则这些术语旨在仅示出相对方向，而不是任何绝对方向，诸如相对于重力的方向。类似地，诸如左、右、前、后等的术语旨在仅给出相对的方向。在更为详细地描述实施例之前，提出一个可以实施本专利技术的实施例的示例环境是有指导意义的。图1示意性地示出了根据本专利技术实施例的光刻设备LAP，包括：源收集器模块SO。所述设备包括：照射系统(照射器)，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，所述支撑结构被构造为用以支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA并且连接至第一定位装置PM，所述第一定位装置PM被配置为准确地定位所述图案形成装置；衬底台(例如晶片台)WT，所述衬底台被构造为保持衬底(例如抗蚀剂涂覆的晶片)W，并且连接至第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n清洁用基底；/n夹持结构，所述夹持结构被配置成固定所述清洁用基底；和/n温度控制单元，所述温度控制单元与所述清洁用基底和所述夹持结构中的一个热连通，并且被配置成在所述清洁用基底和所述夹持结构之间引发温差。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181227 US 62/785,3691.一种设备，包括：
清洁用基底；
夹持结构，所述夹持结构被配置成固定所述清洁用基底；和
温度控制单元，所述温度控制单元与所述清洁用基底和所述夹持结构中的一个热连通，并且被配置成在所述清洁用基底和所述夹持结构之间引发温差。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述清洁用基底是清洁用掩模版。


3.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通。


4.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述夹持结构热连通。


5.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元与所述清洁用掩模版热连通，并且所述设备还包括与所述夹持结构热连通的第二温度控制单元。


6.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元是用于将射频能量耦合到夹持结构中的模块。


7.根据权利要求2所述的设备，还包括冷却剂源，所述冷却剂源能够选择性地联接到所述夹具，并且其中所述夹具被布置成能够选择性地由辐射加热，所述温度控制单元包括用于控制所述冷却剂源与所述夹持结构之间的联接的阀。


8.根据权利要求7所述的设备，其中所述辐射是EUV辐射。


9.根据权利要求2所述的设备，其中所述温度控制单元包括位于所述清洁用掩模版的背离所述夹持结构的表面上的辐射吸收涂层，并且其中所述清洁用掩模版的所述表面被布置成能够选择性地受到辐射照射。


10.根据权利要求9所述的设备，其中加热辐射是EUV辐射。


11.根据权利要求2所述的设备，还包括气体系统，所述气体系统用于能够选择性地...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·J·隆巴尔多，R·P·奥尔布赖特，D·L·哈勒，V·A·佩雷斯福尔肯，A·贾奇，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL