利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁制造技术

从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用具有可控几何形状和组成的清洁衬底进行刻蚀支撑件清洁相关申请的交叉引用本申请要求(1)于2018年11月9日提交的美国临时专利申请62/757,837，以及(2)于2019年10月9日提交的美国临时专利申请62/912,971的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及对用于保持光刻装置中的晶片、掩模版、掩模等的设备的清洁。
技术介绍
光刻装置将期望的图案施加到诸如半导体材料的晶片之类的衬底上。图案化设备，诸如掩模或掩模版，可以被用于生成要形成在晶片的单个层上的电路图案。图案的转移通常通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来完成。通常，单个衬底将包含被连续图案化的邻近目标部分。光刻装置包括支撑结构(例如，晶片台)，该支撑结构具有被配置为使用例如机械、真空、静电或其他夹持技术来保持晶片的工作表面。支撑结构包括被配置为支撑晶片的对应部分的突节。每个突节面向晶片的表面包括图案化的凸点的形成，图案化的凸点具有纳米级的尺寸。这些凸点在本文中被称为纳米凸点。纳米凸点限定了在晶片和突节之间的减小的接触表面积。减小的接触表面积减轻了晶片与突节之间的粘着效果，并且修改了在夹持过程期间的摩擦力。晶片台及其整体的突节通常由Si:SiC复合陶瓷材料制成。晶片台表面可以包括大约10,000个突节，每个突节的直径大约为数百微米，高度大约为100微米。突节通常覆盖晶片台表面积的大约1％。使用时，即使当存在纳米结构以避免这种粘附时，纳米凸点工作表面也可能粘附或“粘着”到衬底上。促成粘附的一种机制是工作表面(夹具表面)和先前的衬底之间的材料转移。这种材料污染以各种形式留在工作表面上，这些形式在本文中统称为颗粒。例如，当工作表面是掩模版夹具并且衬底是掩模版时，掩模版夹具可能从掩模版的图案化表面剥离铬，从而导致掩模版损坏。由于移位的金属堆积在夹具表面上，所以掩模版可能会粘住而无法卸载。可以通过将工作表面从其操作环境中去除(移出)并使用化学物质通过溶解污染“湿法清洁”工作表面，来去除累积的污染。然而，期望避免这些步骤和随之而来的停机时间，并且期望能够原位清洁工作表面。
技术实现思路
以下给出了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽综述，并且无意于标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在限定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是作为稍后呈现的更详细的描述的前奏以简化的形式呈现一个或多个实施例的一些构思。根据实施例的一个方面，使用工装(tooling)，以可控的方式原位清洁工作表面。该工装采用专用清洁衬底的形式，该清洁衬底具有带有部分涂层的受控的表面，以从有纹理的(纳米凸点)工作表面去除已转移的材料(金属污染)。导致污染(由于局部较高的接触力而引起的材料转移)的相同机制以可控的方式被用于清洁表面。根据实施例的另一方面，清洁衬底被配置为使得在清洁衬底与工作表面之间存在有限的接触面积。这允许使用可能会粘住的清洁衬底。涂层厚度和几何形状(例如，由于涂层几何形状引起的凸起的角)可以被选择以促进剥离动作，而不是正交牵拉。利用待清洁表面的几何形状(例如，纳米凸点峰上的高局部接触负载)可以被用于迫使污染物穿过表面涂层，从而使可能对清洁有利的块状材料暴露出来，否则块状材料将无法使用，诸如，例如，通常禁止的材料(诸如铜或金)、产生表面氧化物的材料(例如铝和铬)或非真空兼容的材料(例如锌和镉)。通过限制被涂覆面积并使用不同的涂层材料，涂层可以被用于去除污染。清洁衬底的使用可以导致以下更快的过程，该过程可以被执行为维护动作(工装/预防性维护)，而不必将工作表面移出其操作环境。清洁衬底上的清洁表面的几何形状可以适合于工作表面的各种形状和表面，例如具有同心环的清洁晶片。下面将参照附图详细描述本专利技术的其他特征和优点以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。注意，本专利技术不限于本文所描述的特定实施例。本文提出这种实施例仅出于说明性目的。基于本文所包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是显而易见的。附图说明结合在本说明书中并构成说明书一部分的附图图示了本专利技术，并且与说明书一起进一步用于解释本专利技术的原理并使相关领域的技术人员能够以制造和使用本专利技术。图1示出了根据本专利技术实施例的光刻装置。图2是突节的未按比例绘制图，该突节具有纳米尺度形貌的顶部。图3A、3B和3C是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的使用的未按比例绘制图。图4是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的未按比例绘制图。图5是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的未按比例绘制图。图6A、6B和6C是图示了根据实施例的一个方面的操作原理的图。图7是图示了根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的流程图。图8是图示了根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的过程的流程图。图9是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。图10是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。图11是根据实施例的一个方面的用于从工作表面去除污染物的颗粒的清洁衬底的未按比例绘制图。从下面结合附图的详细描述中，本专利技术的特征和优点将变得更加明显，在附图中，类似的参考标记始终标识对应的元件。在附图中，类似的参考数字通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元件。具体实施方式本说明书公开了结合了本专利技术的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示了本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的(多个)实施例。本专利技术由随附权利要求书限定。本说明书中描述的(多个)实施例以及在本说明书中对“一个实施例”、“实施例”，“示例实施例”等的提及表明所描述的(多个)实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定指相同的实施方式。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，可以认为联系其他实施例来实现这种特征、结构或特性在本领域技术人员的认知范围内，无论是否有明确描述。在随后的描述中以及在权利要求书中，可以使用术语“上”、“下”、“顶”、“底”“垂直”、“水平”以及类似术语。这些术语仅旨在示出相对定向，而不是相对于重力的任何定向。类似地，诸如左、右、前、后等术语仅旨在给出相对定向。在更详细地描述实施例之前，有益的是提供可以实现本专利技术的实施例的示例环境。参照图1，光刻系统100包括照射系统105。照射系统105包括产生脉冲光束110并将其引导到光刻曝光装置或扫描仪115的光源。扫描仪115包括图案化设备116，例如，在支撑结构117上的掩模或掩模版。图案化设备116承载被转移到束110的图案，以创建图案化束119，该图案化束119对晶片120上的微电子特征进行图案化。晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在用于生成在光刻中使用的辐射的系统中的装置，包括：/n夹持结构，包括工作表面；以及/n清洁衬底，用于从所述工作表面去除污染物，所述清洁衬底包括：/n具有侧表面的基部；以及/n在所述侧表面的至少一部分上的涂层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181109 US 62/757,837;20191009 US 62/912,9711.一种在用于生成在光刻中使用的辐射的系统中的装置，包括：
夹持结构，包括工作表面；以及
清洁衬底，用于从所述工作表面去除污染物，所述清洁衬底包括：
具有侧表面的基部；以及
在所述侧表面的至少一部分上的涂层。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述涂层包括表面层和块状材料。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其中所述工作表面包括掩模版平台，并且所述清洁衬底包括清洁掩模版。


4.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，其中所述工作表面包括晶片台，并且所述清洁衬底包括清洁晶片。


5.一种清洁衬底，用于从包括第二材料的工作表面去除包括第一材料的污染物的颗粒，所述清洁衬底包括：
具有侧表面的基部；以及
在所述侧表面的至少一部分上的涂层，所述涂层包括第三材料，其中在所述第一材料和所述第二材料之间的键的键解离能小于在所述第二材料和所述第三材料之间的键的键解离能。


6.根据权利要求5所述的清洁衬底，其中所述工作表面包括掩模版平台，并且所述清洁衬底包括清洁掩模版。


7.根据权利要求5所述的清洁衬底，其中所述工作表面包括晶片台，并且所述清洁衬底包括清洁晶片。


8.根据权利要求5所述的清洁衬底，其中所述第一材料包括硅。


9.根据权利要求8所述的清洁衬底，其中所述第二材料包括铬。


10.根据权利要求9所述的清洁衬底，其中所述第三材料包括铝。


11.根据权利要求5所述的清洁衬底，其中所述第三材料具有低屈服强度。


12.根据权利要求5所述的清洁衬底，其中所述第三材料具有高Hamaker常数。


13.一种从光刻工具中的夹持结构的工作表面去除污染物的方法，所述方法包括以下步骤：
将清洁衬底抵靠所述工作表面按压，所述清洁衬底包括具有侧表面的基部、以及在所述侧表面的至少一部分上的涂层；以及
将所述清洁衬底从所述工作表面移开，以从所述工作表面去除所述污染物。


14.根据权利要求13所述的方法，其中所述工作表面包括掩模版平台，并且所述清洁衬底包括清洁掩模版。


15.根据权利要求13所述的方法，其中所述工作表面包括晶片台，并且所述清洁衬底包括清洁晶片。


16.根据权利要求13所述的方法，其中所述移动步骤按照以下方式来进行：引起所述涂层和所述工作表面之间的剥离动作。


17.一种从包括第二材料的工作表面去除包括第一材料的污染物的颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：
将清洁衬底抵靠所述工作表面按压，所述清洁衬底包括具有侧表面的基部、以及在所述侧表面的至少一部分上的涂层，所述涂层包括第三材料，其中在所述第一材料和所述第二材料之间的键的键解离能小于在所述第二材料和所述第三材料之间的键的键解离能，使得所述污染物从所述工作表面转移到所述涂层；以及
将所述清洁衬底从所述工作表面移开，以从所述工作表面去除所述污染物。


18.根据权利要求17所述的方法，其中所述工作表面包括掩模版平台，并且所述清洁衬底包括清洁掩模版。

【专利技术属性】
技术研发人员：K·M·利维，A·D·哈拉尔卡，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL