本公开可以提供一种图像处理装置及一种图像处理方法。图像处理装置可以包括：运动管理器，其被配置为基于从图像传感器接收的第一帧图像的像素值、在第一帧图像之前从图像传感器接收的第二帧图像的像素值和被配置为感测图像传感器的速度的惯性传感器的速度...

本发明涉及一种存储器控制器，该存储器控制器包括：第一外部接口控制器，被配置为与第一外部装置通信，并接收和处理来自第一外部装置的第二外部装置访问请求；第二外部接口控制器，被配置为与第二外部装置通信；第三外部接口控制器，被配置为与第三外部装...

提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤：在初步掺杂半导体结构上方层叠多个第一材料层和多个第二材料层；形成穿透多个第一材料层和多个第二材料层并延伸到初步掺杂半导体结构的内部的阻挡绝...

本公开涉及存储器、存储系统及存储器的操作方法。用于操作存储器的方法包括：接收预定命令；响应于预定命令，对多个存储体中的一个存储体的所选择的行和所选择的列执行错误检测操作；以及响应于预定命令，对存储体中的其他存储体中的每一个存储体的所选择...

一种形成图像感测装置的光电转换区的方法，该方法包括：确定图像感测像素的对应于图像感测像素的期望性能的光电转换区的容量和基板的厚度；基于所确定的基板的厚度和所确定的光电转换区的容量，确定图像感测像素的期望的光电转换区的尺寸；确定适于将杂质...

本申请涉及存储器装置及其操作方法。本文提供了一种存储器装置，该存储器装置可包括串、电压发生电路、页缓冲器和沟道初始化电路。串可包括串联联接在位线和源极线之间的选择晶体管和存储器单元。页缓冲器可被配置为对位线进行预充电或放电。电压发生电路...

提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置包括栅极层叠结构，栅极层叠结构包括导电层，各个导电层在第一方向和第二方向上延伸并且包括面对第三方向的顶表面，其中，导电层被层叠以在第三方向上彼此间隔开。另外，半导体存储器装置包括：第一沟道结构...

半导体装置包括：在衬底上方的栅电介质层；在栅电介质层上方的下栅阻挡层；以及在下栅阻挡层上方的下栅电极。下栅电极包括至少一个富金属的金属氧化物层。

本发明公开了相位检测电路及包括其的时钟发生电路和半导体装置。相位检测电路被配置为接收输入时钟信号和参考时钟信号。相位检测电路被配置为从参考时钟信号产生分频时钟信号。相位检测电路被配置为在将输入时钟信号的相位与分频时钟信号的相位进行比较之...

本公开涉及一种计算系统。该计算系统可以包括：存储器系统，包括被配置为存储原始数据的多个存储器装置和被配置为以第一带宽从多个存储器装置接收原始数据并且通过对原始数据执行第一操作来生成中间数据的近数据处理器(NDP)；以及主机装置，以第二带...

本公开涉及比较器、包括比较器的图像传感器及其操作方法。图像传感器包括：控制器；比较器，该比较器被配置为生成比较信号，该比较器包括：第一电容器，该第一电容器对控制电压进行采样；第二电容器，该第二电容器对参考电压进行采样；第一开关，该第一开...

本文提供了半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。该半导体存储器设备包括：存储器块，包括存储器单元串；电压供应电路，被配置为在擦除操作期间将操作电压施加到全局漏极选择线、全局源极选择线和全局字线，并且将擦除电压施加到位线或者位线...

本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括放电互连结构以及位于放电互连结构上的源极结构。该半导体装置还包括延伸穿过源极结构以电连接到放电互连结构的第一放电接触结构，该第一放电接触结构具有第一深度。该半导体装置还包括位于源极结构...

本申请涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一源极层，其包括具有第一晶粒尺寸的第一部分和具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸的第二部分；栅极结构，其位于第一源极层上；以及沟道结构，其穿过栅极结构和第一源极层的第二部分。

根据一个实施例的一种半导体器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；以及被设置在第一电极和第二电极之间的电介质结构。电介质结构包括彼此串联连接的阻挡电介质层和电容器电介质层。阻挡电介质层包括铁电材料，电容器电介质层包括非铁电材料。

本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括预充电时间信息存储部，其用于存储关于根据执行编程操作的程度确定的施加位线控制信号的第一预充电时间和施加源极线控制信号的第二预充电时间的信息。该存储器装置还包括预充电电压控制器，其用于在...

一种图像感测装置，包括：像素阵列，其包括以矩阵形式布置的多个单位像素块。每个单位像素块包括多个成像像素组和串扰感测像素组。串扰感测像素组包括：包括第一绿色滤色器和第一黄色滤色器的第一绿色感测像素；包括第二黄色滤色器和红色滤色器的红色感测...

本申请涉及一种存储器装置、存储器系统及其操作方法。该存储器装置包括第一存储器组和控制装置。第一存储器组包括存储多位数据的第一非易失性存储器单元。控制装置执行多个编程操作以将多位数据存储在第一非易失性存储器单元中。在执行多个编程操作时根据...

提供了半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：掺杂半导体层，其包括面向第一方向的上表面；多功能层叠物，其包括在掺杂半导体层上方在第一方向上彼此交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电层，多功能层叠物包括凹槽；内...

提供了一种存储器设备和该存储器设备的操作方法。该存储器设备包括：存储器块，包括多个页，来自多个页的每个页包括存储器单元，存储器单元被配置为根据多个目标电压而被编程为不同的编程状态；以及外围电路，用于执行多个页之中的被选择的页的编程操作。...