【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置及制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及三维半导体存储器装置及制造该三维半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、可以形成测试图案以测量半导体存储器装置的电特性。在已经提出用于提高集成密度的三维半导体存储器装置中，可以通过独立于形成单元阵列结构的工艺的工艺来形成测试图案。结果，通过测试图案获得的数据的可靠性不高。
技术实现思路
1、根据实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：各自具有面向第一方向的上表面的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层彼此间隔开；多功能层叠物，其包括在第一掺杂半导体层上方在第一方向彼此交替地层叠的多个第一层间绝缘层和多个第一导电层，多功能层叠物包括凹槽；内衬绝缘层，其位于凹槽的底表面上；内衬半导体层，其位于内衬绝缘层上；第一电极和第二电极，其在凹槽中彼此间隔开并且从内衬半导体层起在第一方向上延伸；栅极层叠物，其包括在第二掺杂半导体层上在第一方向上彼此交替地层叠的多个第二层间绝缘层和多个第二导...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述凹槽的底表面在所述第一方向上位于比所述垂直孔的底表面更高的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层包括与所述存储器层相同的材料层。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层和所述存储器层中的每一个包括浮栅层、包括导电纳米点的绝缘层、电荷俘获层、铁电层或相变层。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述凹槽的底表面在所述第一方向上位于比所述垂直孔的底表面更高的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层包括与所述存储器层相同的材料层。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层和所述存储器层中的每一个包括浮栅层、包括导电纳米点的绝缘层、电荷俘获层、铁电层或相变层。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬半导体层包括与所述垂直半导体层相同的半导体材料。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层和所述内衬半导体层中的每一个沿着所述凹槽的侧部延伸。
9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括连接到所述第一电极和所述第二电极的电容器布线。
11.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
13.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中，所述内衬绝缘层和所述内衬半导体层中的每一个沿所述凹槽的侧部延伸。
15.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
16.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括连接到所述第一电极和所述第二电极的电容器布线。
17.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔江，金大炫，金昶汉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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