半导体结构的制备方法和半导体结构技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，该制备方法首先完成Cap制程，在半导体衬底上制备电容元件，然后在电容元件上沉积形成刻蚀阻挡层，再在刻蚀阻挡层上沉积层间介质层，并在层间介质层上涂布平面化胶层消除层间介质层的高差，然后通过全面刻蚀的方式，以刻蚀阻挡层为停止层刻蚀平面化胶层和部分层间介质层，并露出刻蚀阻挡层，以使刻蚀阻挡层和层间介质层实现平坦化。相较于现有技术，本发明专利技术实施例提供的半导体结构的制备方法和半导体结构，能够实现氧化膜质的顺利平坦化，并且无需进行曝光显影以及研磨，简化了工艺，并能够防止结构破裂，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构。

技术介绍

1、制造dram chip(dynamic random access memory，动态随机存取存储器)时，为了积累电荷进行cap(capacitance，电容)工程的话，cell领域和core，peri领域会发生相当大的高度断差。一般情况下，这种断差可能会导致后续的photo(曝光)在内的许多制程引发不良问题，所以为了消除这种断差差异，需要进行平坦化工艺。

2、常规的平坦化工艺，需要利用pr(光刻胶)图案化暴露cell领域后，利用dry etch(干法刻蚀)去除在电容上的一部分氧化膜质，并在后续进行cmp平坦化。但是，如果用这种一般的方法进行工程的话，图案化露出领域后部分区域进行刻蚀的loading现象会导致工程散波的不良，同时cmp时施加的压力会导致氧化膜质和柱状结构的破裂，很有可能发生后续不良情况。

技术实现思路

1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其能够实现氧化膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在半导体衬底上制备电容元件的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述电容元件上沉积形成刻蚀阻挡层的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度在100-200nm之间。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述TP层和所述SiBN层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述层...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在半导体衬底上制备电容元件的步骤，包括：

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述电容元件上沉积形成刻蚀阻挡层的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度在100-200nm之间。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述tp层和所述sibn层。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述层间介质层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴俊植，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：