【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体晶片及半导体装置。
技术介绍
1、激光切割技术是使用激光对半导体晶片的内部进行改性并以改性部分为起点将半导体晶片劈开的方法。然而，因从改性部分扩展的劈开的直进性弱，所以存在位于半导体晶片的切割线上的材料膜不呈直线分割而是分割线蜿蜒的情况。利用激光进行改性后，当通过研削步骤使半导体晶片变薄时，存在材料膜的分割线更大幅度地蜿蜒而裂痕到达半导体芯片内部的器件区域的情况。
技术实现思路
1、实施方式提供一种能够提升从改性部分扩展的劈开的直进性的半导体晶片及半导体装置。
2、实施方式的半导体晶片具备多个半导体芯片区域及分割区域。多个半导体芯片区域具有半导体元件。分割区域设置在相邻的半导体芯片区域间。第1层叠体设置在分割区域上，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第2导电膜与所述柱状部之间形成着存储单元。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜及所述第3绝缘膜包含氧化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第2绝缘膜包含氮化硅，所述第1导电膜包含钨。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备衬底；且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1通孔包含钨。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备衬底；
8.根据权利要求1所述的半导体装置
...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中在所述第2导电膜与所述柱状部之间形成着存储单元。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1绝缘膜及所述第3绝缘膜包含氧化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第2绝缘膜包含氮化硅，所述第1导电膜包含钨。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备衬底；且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第1通孔包含钨。
7.根...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。