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本发明的实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，该制备方法首先完成Cap制程，在半导体衬底上制备电容元件，然后在电容元件上沉积形成刻蚀阻挡层，再在刻蚀阻挡层上沉积层间介质层，并在层间介质层上涂布平面化胶层消除层...
该专利属于成都高真科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都高真科技有限公司授权不得商用。

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