本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括放电互连结构以及位于放电互连结构上的源极结构。该半导体装置还包括延伸穿过源极结构以电连接到放电互连结构的第一放电接触结构，该第一放电接触结构具有第一深度。该半导体装置还包括位于源极结构中的第二放电接触结构，该第二放电接触结构具有不同于第一深度的第二深度。
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着用于在基板上作为单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进已达到其极限，已提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。另外，正在开发各种结构和制造方法以改进这种三维半导体装置的操作可靠性。
1、根据本公开的实施方式，一种半导体装置可包括：放电互连结构；源极结构，其位于放电互连结构上；第一放电接触结构，其延伸穿过源极结构以电连接到放电互连结构，该第一放电接触结构具有第一深度；以及第二放电接触结构，其位于源极结构中，该第二放电接触结构具有不同于第一深度的第二深度。
2、根据本公开的实施方式，一种半导体装置可包括：源极结构，其包括单元区域和虚设区域；栅极结构，其位于源极结构的单元区域上；虚设层叠物，其位于源极结构的虚设区域上；第一接触结构，其位于源极结构的虚设区域中，该第一接触结构具有第一深度；以及第二接触结构，其位于源极结构的虚设区域中，该第二接触结构具有小于第一深度的第二深度，并且该第二接触结构通过源极结构电连接到第一接触结构。
3、根据本公开的实施方式，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成源极结构；形成延伸穿过源极结构并具有第一深度的第一放电接触结构；形成位于源极结构中并具有不同于第一深度的第二深度的第二放电接触结构；以及在源极结构上形成虚设层叠物。
>4、根据本公开的实施方式，一种半导体装置的制造方法可包括以下步骤：形成包括单元区域和虚设区域的源极结构；在源极结构的单元区域中形成着陆焊盘；形成位于源极结构的虚设区域中并具有第一深度的第一接触结构；以及形成位于源极结构的虚设区域中并具有小于第一深度的第二深度的第二接触结构。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二深度小于所述第一深度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二放电接触结构通过所述第一放电接触结构电连接到所述放电互连结构。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括单元区域和虚设区域，并且所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构位于所述虚设区域中。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述虚设区域包括所述第一放电接触结构所在的第一虚设区域以及所述第二放电接触结构所在的第二虚设区域，并且所述第二放电接触结构延伸到所述第一虚设区域。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构与所述第二虚设区域间隔开。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构在层叠方向上不与所述互连结构交叠，并且所述第二放电接触结构在所述层叠方向上与所述互连结构交叠。
9.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述单元区域和所述虚设区域在第一方向上彼此相邻，所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构在所述第一方向上彼此相邻，并且所述第二放电接触结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
11.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构被设置为比所述第二放电接触结构更靠近所述单元区域。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构中的至少一个包括电阻率低于所述源极结构的电阻率的材料。
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第二接触结构通过所述第一接触结构电连接到所述放电互连结构。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述源极结构还包括位于所述单元区域和所述虚设区域之间的连接区域，并且所述栅极结构延伸到所述连接区域。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，该半导体装置还包括沟道结构，该沟道结构穿过所述栅极结构并且连接到所述源极结构的所述单元区域，其中，所述栅极结构包括位于所述源极结构的所述连接区域上的阶梯结构。
18.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述第二深度小于所述第一深度。
20.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述源极结构包括单元区域和虚设区域，并且所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构形成在所述虚设区域中。
21.根据权利要求20所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：在所述源极结构的所述单元区域中形成着陆焊盘。
22.根据权利要求21所述的制造方法，其中，当形成所述着陆焊盘时，形成所述第二放电接触结构。
23.根据权利要求21所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
24.根据权利要求23所述的制造方法，其中，当形成所述第一开口时，所述源极结构中的电荷通过所述着陆焊盘、所述第二放电接触结构和所述第一放电接触结构来发射。
25.根据权利要求21所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
26.根据权利要求25所述的制造方法，其中，当形成所述第二开口时，所述源极结构中的电荷通过所述着陆焊盘、所述第二放电接触结构和所述第一放电接触结构来发射。
27.根据权利要求18所述的制造方法，其中，当形成所述第二放电接触结构时，所述源极结构中的电荷通过所述第一放电接触结构来发射。
28.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
30.根据权利要求29所述的制造方法，其中，当形成所述第一开口时，所述源极结构中的电荷通过所述着陆焊盘、所述第二接触结构和所述第一接触结构来发射。
31.根据权利要求28所述的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：
32.根据权利要求31所述的制造方法，其中，当形成所述第二开口时，所述源极结构中的电荷通过所述着陆焊盘、所述第二接触结构和所述第一接触结构来发射。
33.根据权利要求29所述的制造方法，其中，当形成所述层叠物时，在所述源极结构的所述虚设区域...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二深度小于所述第一深度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二放电接触结构通过所述第一放电接触结构电连接到所述放电互连结构。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极结构包括单元区域和虚设区域，并且所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构位于所述虚设区域中。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述虚设区域包括所述第一放电接触结构所在的第一虚设区域以及所述第二放电接触结构所在的第二虚设区域，并且所述第二放电接触结构延伸到所述第一虚设区域。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构与所述第二虚设区域间隔开。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构在层叠方向上不与所述互连结构交叠，并且所述第二放电接触结构在所述层叠方向上与所述互连结构交叠。
9.根据权利要求4所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述单元区域和所述虚设区域在第一方向上彼此相邻，所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构在所述第一方向上彼此相邻，并且所述第二放电接触结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
11.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构被设置为比所述第二放电接触结构更靠近所述单元区域。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一放电接触结构和所述第二放电接触结构中的至少一个包括电阻率低于所述源极结构的电阻率的材料。
13.一种半导体装置，该半导体装置包括：
14.根据权利要求13所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述第二接触结构通过所述第一接触结构电连接到所述放电互连结构。
16.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述源极结构还包括位于所述单元区域和所述虚设区域之间的连接区域，并且所述栅极结构延伸到所述连接区域。
17.根据权利要求16所述的半导体装置，该半导体装置还包括沟道结构，该沟道结构穿过所述栅极结构并且连接到所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金宰浩，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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