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爱思开海力士有限公司专利技术
爱思开海力士有限公司共有6016项专利
存储器装置、存储器系统及其操作方法制造方法及图纸
本申请涉及一种存储器装置、存储器系统及其操作方法。该存储器装置包括第一存储器组和控制装置。第一存储器组包括存储多位数据的第一非易失性存储器单元。控制装置执行多个编程操作以将多位数据存储在第一非易失性存储器单元中。在执行多个编程操作时根据...
半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法制造方法及图纸
提供了半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括:掺杂半导体层,其包括面向第一方向的上表面;多功能层叠物,其包括在掺杂半导体层上方在第一方向上彼此交替地层叠的多个层间绝缘层和多个导电层,多功能层叠物包括凹槽;内...
存储器设备和该存储器设备的操作方法技术
提供了一种存储器设备和该存储器设备的操作方法。该存储器设备包括:存储器块,包括多个页,来自多个页的每个页包括存储器单元,存储器单元被配置为根据多个目标电压而被编程为不同的编程状态;以及外围电路,用于执行多个页之中的被选择的页的编程操作。...
存储器设备和存储器设备的操作方法技术
提供了存储器设备和存储器设备的操作方法。该存储器设备包括:存储器块,其包括连接在位线与源极线之间的第一选择晶体管、存储器单元和第二选择晶体管;预充电控制器,其用于监测存储器单元的编程操作,并且根据监测结果来改变存储器块中包括的串当中的未...
数据存储装置、操作数据存储装置的方法及存储器控制器制造方法及图纸
本申请涉及一种数据存储装置,该数据存储装置可以包括多个系统资源、缓冲存储器装置和存储器控制器。缓冲存储器装置可以包括分配给系统资源的缓冲存储器。存储器控制器可以基于在系统资源中的每一个中设置的性能要求来分配缓冲存储器。
半导体封装制造技术
本公开涉及半导体封装。半导体芯片可以包括:主体部分,主体部分具有前表面和后表面;一对贯通电极,该一对贯通电极穿透主体部分;绝缘层,绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上;以及后连接电极,后连接电极设置在绝缘层上并且同时与该一对贯...
半导体存储器设备制造技术
本公开的实施例涉及半导体存储器设备。半导体存储器设备包括栅极堆叠结构,该栅极堆叠结构包括被堆叠为在第一方向上彼此间隔开的多个导电层,该栅极堆叠结构围绕多边形开口的外围。该半导体存储器设备还包括沿着多边形开口的侧壁形成的阶梯结构。
具有多个端口的接口装置及其操作方法制造方法及图纸
本文中提供了一种具有多个端口的接口装置及其操作方法。接口装置可以包括第一端口、第二端口和控制器。第一端口可以包括第一端口缓冲器。第二端口可以包括第二端口缓冲器。控制器可以被配置为与第一端口和第二端口交换数据。在单端口模式下,第一端口缓冲...
存储器控制器、存储装置及其操作方法制造方法及图纸
本公开涉及一种存储装置,包括:存储器装置,被配置为存储指示逻辑地址和物理地址之间的映射关系的多个地址映射;以及存储器控制器,在存储装置从断电状态变为通电状态时,基于从主机接收到的文件属性信息确定多个地址映射中的每一个的优先级等级,并根据...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:位线;第一屏障层,其设置在位线上;可变电阻层,其设置在第一屏障层上;第二屏障层,其设置在可变电阻层上;以及字线,其设置在第二屏障层上。第二屏障层的介电常数大于第一屏障层的介电常数。
阻抗校准电路和包括该阻抗校准电路的半导体设备制造技术
本申请涉及阻抗校准电路和包括该阻抗校准电路的半导体设备。一种阻抗校准电路包括:第一支路集,其具有在第一定时控制信号的启用时段期间根据阻抗控制代码校准到第一目标阻抗的阻抗;第二支路集,其具有在第二定时控制信号的启用时段期间根据阻抗控制代码...
存储器设备和操作该存储器设备的方法技术
本公开的实施例涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法。存储器设备和该存储器设备的操作方法,包括:电压生成器,用于生成操作电压;以及行解码器,用于通过局部线而将操作电压发送到存储器块。存储器设备还包括通过位线被连接到存储器块的页缓冲器,该...
非易失性半导体存储器设备制造技术
本文提供的可以是一种非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备可以包括存储器单元阵列、读取和写入电路以及控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个非易失性存储器单元。读取和写入电路可以被配置为对从多个非易失性存储器单元之中选择的非易失...
包括半导体管芯和密封剂的层叠封装制造技术
本申请涉及包括半导体管芯和密封剂的层叠封装。一种层叠封装包括层叠的半导体管芯和密封剂。密封剂形成为覆盖层叠的半导体管芯的侧面。层叠封装的第一半导体管芯具有比层叠封装的第二半导体管芯向密封剂中突出更远的外伸部分。
存储器系统、存储器控制器和操作存储器系统的方法技术方案
本申请涉及一种存储器系统、存储器控制器及操作存储器系统的方法。基于写入指针和写入计数,可以管理存储器系统中的一个或多个命名空间之中的命名空间。命名空间可以由存储器系统的存储器控制器管理。存储器系统可以设置一个或多个命名空间,并且可以为每...
半导体器件制造技术
本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括:垂直导电线,其在第一方向上垂直地定向;水平层,其自垂直导电线而在第二方向上水平地定向;以及水平导电线,其在与水平层相交的第三方向上水平地定向,其中,水平导电线包括:高功函数电极,其包括具有比钛氮...
存储器装置和操作该存储器装置的方法制造方法及图纸
本技术涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括:存储块,该存储块包括与多个字线组相对应的多个存储器单元;源极线驱动器,该源极线驱动器被配置为在擦除操作期间向所述存储块的源极线施加擦除电压;电压生成电路,该电压生成电路被...
半导体器件及其制造方法技术
本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:第一公共板,其在第一方向竖直地延伸;第二公共板,其在第二方向与第一公共板间隔开并且在第一方向竖直地延伸;狭缝,其形成在第一公共板和第二公共板之间;第一存储单元阵列,其共用第一公共板并且包...
半导体芯片及半导体系统技术方案
本公开涉及半导体芯片及半导体系统。一种半导体芯片包括:检测电路,其在测试模式中当外部电压的电压电平大于第一设置电平时生成被使能的放电信号,以及当输出电压被生成为具有接地电压的电压电平时生成被使能的电压控制信号;电荷放电电路,其当放电信号...
信号输入/输出电路及操作信号输入/输出电路的方法技术
本申请涉及信号输入/输出电路及操作信号输入/输出电路的方法。信号输入/输出电路包括信号放大电路和电流控制电路。信号放大电路被配置为放大并输出通过输入/输出线传输的输入信号。电流控制电路被配置为引发与信号放大电路的输出信号相对应的反向虚拟...
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