【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及存储器设备和存储器设备的操作方法，并且更具体地涉及被配置为执行编程操作的存储器设备和存储器设备的操作方法。
技术介绍
1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，在其中存储数据；外围电路，其被配置为执行编程、读取或擦除操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路。
2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，并且该多个存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元。具有三维结构的存储器设备可以包括堆叠在衬底上方的存储器单元。例如，在具有三维结构的存储器设备中，存储器块可以包括从衬底在垂直方向上延伸的多个串，并且该多个串中的每个串可以包括多个存储器单元。
3、在多个存储器块当中的被选择的存储器块的编程操作中，在被选择的存储器块中包括的多个串当中的被选择的串中包括的存储器单元可以被编程。在被选择的存储器单元被编程的同时，应当禁止对未被选择的串中包括的存储器单元的编程。因此，编程允许电压被施加到被选择的串的通道，并且编程禁止电压被施加到未被选择的串的通道。由于编程允许电压应当具有与施加到连接到被选择的存储器单元的...
【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述预充电控制器被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述参考电压被设置为高于所述目标电压当中的中间电压的电压。
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述被选择的目标电压等于或低于所述参考电压时，所述预充电控制器控制所述选择线电压生成器，使得所述正电压被施加到所述第二选择线。
5.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述被选择的目标电压高于所述参考电压时，所述预充电控制器控制所述选择线电压生成器，使得所述负电压被施加到所述第二选择线
6....
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述预充电控制器被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述参考电压被设置为高于所述目标电压当中的中间电压的电压。
4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述被选择的目标电压等于或低于所述参考电压时，所述预充电控制器控制所述选择线电压生成器，使得所述正电压被施加到所述第二选择线。
5.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当所述被选择的目标电压高于所述参考电压时，所述预充电控制器控制所述选择线电压生成器，使得所述负电压被施加到所述第二选择线。
6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述选择线电压生成器被配置为在所述预充电控制器的控制下生成要施加到与所述第一选择晶体管连接的第一选择线的所述正电压。
7.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述字线电压生成器被配置为：
9.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述字线电压生成器被配置为：在所述未被选择的串被预充电时，生成要施加到所述字线的通过电压。
10.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述源极线电压生成器被配置为：在所述未被选择的串被预充电时，生成要施加到所述源极线的预充电电压。
11.一种存储器设备，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器设备，还包括预充电控制器，所述预充电控制器被配...
【专利技术属性】
技术研发人员：林圣龙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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