【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及半导体芯片及半导体系统,更具体地涉及与提供重复地执行上电操作的测试模式有关的半导体芯片及半导体系统。
技术介绍
1、半导体器件需要从外部供应外部电压以便半导体器件进行操作。外部电压的电压电平从0v开始并且以恒定的斜率上升到目标电压电平。在这种情况下,当这样的外部电压被直接施加到半导体器件的所有电路时,因为电路受到正在上升的外部电压影响,所以电路中出现故障。因此,为了防止这种芯片的故障,半导体器件在外部电压的电压电平上升直到目标设置电平的上电区间之后生成被使能的信号(上电信号),并且在上电信号被使能并且外部电压的电压电平变为稳定的电压电平之后将外部电压供应到每个电路。
2、在上电区间之后,这样的半导体器件根据操作从具有高电压电平的外部电压生成并且使用内部电压。核心区域中使用的核心电压、用于对位线进行预充电的位线预充电电压、以及用于驱动字线或在过驱动启动之后使用的高电压等被生成为这样的内部电压。
技术实现思路
1、在一实施例中,本公开可以提供一种半导体芯片,包括:检测
...【技术保护点】
1.一种半导体芯片,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述驱动电路:随着所述驱动信号的电压电平减小而进一步增加供应到所述输出节点的电荷。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,当所述外部电压的电压电平是用于操作所述电荷放电电路中包括的电荷放电元件的电压电平时,所述第一设置电平被设定。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述第二设置电平被设定为电源参考电压的电压电平。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述检测电路包括:
6.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,所述电平检测
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述驱动电路:随着所述驱动信号的电压电平减小而进一步增加供应到所述输出节点的电荷。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,当所述外部电压的电压电平是用于操作所述电荷放电电路中包括的电荷放电元件的电压电平时,所述第一设置电平被设定。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述第二设置电平被设定为电源参考电压的电压电平。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述检测电路包括:
6.根据权利要求5所述的半导体芯片,其中,所述电平检测电路包括:
7.根据权利要求6所述的半导体芯片,其中,所述控制信号生成电路包括:
8.根据权利要求6所述的半导体芯片,其中:
9.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述电荷放电电路包括:
10.根据权利要求1所述的半导体芯片,其中,所述驱动电路包括驱动元件,所述驱动元件被连接在所述外部电压和所述输出节点之间,以及通过基于所述驱动信号的电压电平而从所述外部电压向所述输出节点供应电荷来生成所述输出电压。
11.一种半导体芯片,包括:
12.根据权利要求11所述的半导体芯片,其中,所述驱动控制电路:当从所述输出电压分配的反馈电压被生成为具有等于或大于所述参考电压的电压电平的电压电平时禁止所述驱动信号。
13.根据权利要求11所述的半导体芯片,其中,当所述外部电压的电压电平是用于操作所述电荷放电电路中包括的电荷放电元件的电压电平时,所述第一设置电平被设定。
14.根据权利要求11所述的半导体芯片,其中,所述第二设置电平被设定为电源参考电压的电压电平。
15.根据权利要求11所述的半导体芯片,其中,所述电荷放电电路包括:
16.根据权利要求11所述的半导体芯片,其中,所述驱动控制电路包括:
17.根据权利要求16所述的半导体芯片,其中,所述驱...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆永燮,宋在祐,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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