【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于数据存储，具体涉及一种数据写入控制电路及数据写入控制方法。
技术介绍
1、铁电存储器（ferroelectric ram，fram），也称为f-ram或feram，是一种读写速度快的随机存取存储器，结合了断电后数据保留的能力（如只读存储器和闪存），是个人电脑最常用的类型记忆。
2、在通过铁电存储器存储数据时，会向铁电存储器的存储单元写入数据，每一次的写入操作均会改变存储单元的极化状态。而在实际情形中，向存储单元新写入的数据可能与存储单元原来所存储的数据一致，这样会向存储单元写入重复的数据，造成存储单元不必要的磨损，从而降低存储器的使用寿命，同时也会增加数据存储的功耗和数据写入时间，导致存储器的性能降低。
3、因此，如何避免由于向存储单元写入重复数据导致存储器的使用寿命降低和性能下降，是本领域技术人员亟需研究的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种数据写入控制电路及数据写入控制方法，用以解决现有技术中存在的上述问题。
2、为了实...
【技术保护点】
1.一种数据写入控制电路，用于铁电存储器的存储单元的数据写入控制，其特征在于，包括：存储单元、选择器、共源共栅极放大器、比较器和微处理器，所述存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元的位线和所述第二存储子单元的位线均与所述选择器连接，所述共源共栅极放大器连接于所述选择器与所述比较器之间，所述微处理器分别与所述选择器、所述共源共栅极放大器和所述比较器连接；
2.根据权利要求1所述的数据写入控制电路，其特征在于，共源共栅极放大器包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的漏极与所述选择器连接，所述第一场效应管的栅极与所述微处理器连接...
【技术特征摘要】
1.一种数据写入控制电路，用于铁电存储器的存储单元的数据写入控制，其特征在于，包括：存储单元、选择器、共源共栅极放大器、比较器和微处理器，所述存储单元包括第一存储子单元和第二存储子单元，所述第一存储子单元的位线和所述第二存储子单元的位线均与所述选择器连接，所述共源共栅极放大器连接于所述选择器与所述比较器之间，所述微处理器分别与所述选择器、所述共源共栅极放大器和所述比较器连接；
2.根据权利要求1所述的数据写入控制电路，其特征在于，共源共栅极放大器包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的漏极与所述选择器连接，所述第一场效应管的栅极与所述微处理器连接，所述第一场效应管的源极与所述第二场效应管的栅极连接，所述第二场效应管的漏极与所述比较器连接。
3.根据权利要求2所述的数据写入控制电路，其特征在于，所述第一场效应管和所述第二场效应管均为p沟道增强型场效应管。
4.根据权利要求1所述的数据写入控制电路，其特征在于，所述第一存储子单元的板线与所述第二存储子单元的板线连接，所述第一存储子单元的字线与所述第二存储...
【专利技术属性】
技术研发人员：张盛，林晋纬，马月，李昌荣，
申请(专利权)人：晶铁半导体技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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