【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施例涉及电子设备，并且更具体地涉及半导体存储器设备和操作该半导体存储器设备的方法。
技术介绍
1、近来，用于计算机环境的范式已经被转换成普适计算，使得计算机系统可以在任何时间和任何地方被使用。由于这个原因，诸如移动电话、数码相机和笔记本电脑的便携式电子设备的使用已经迅速增加。一般而言，这样的便携式电子设备使用采用半导体存储器设备的存储器系统，换言之，使用数据存储设备。数据存储设备用作用于便携式电子设备的主存储器设备或辅助存储器设备。
2、使用半导体存储器设备的数据存储设备的优点在于，因为没有机械驱动部分，所以稳定性和耐久性优异，信息访问速度高，并且功耗低。作为具有这样的优点的存储器系统的示例，数据存储设备包括通用串行总线(usb)存储器设备、具有各种接口的存储器卡、固态驱动器(ssd)等。
3、半导体存储器设备被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备。
4、这样的非易失性存储器设备具有比较低的写入和取读速度，但是即使在功率的供应被中断时也保留存储在其中的数据。因此，非易失性存储器设备...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述去俘获操作中包括的位线充电时段期间，所述读取和写入电路被配置为：通过将具有接地电压电平的所述第一位线电压施加到所述被选择的位线并且将具有负电位的所述第二位线电压施加到所述未被选择的位线，来控制与所述被选择的位线和所述未被选择的位线相对应的多个存储器串的相应通道电位。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述地址解码器被配置为：在所述位线充电时段结束之后的升压时段期间，通过关断所述存储器块中包括的源极选择晶体管和漏极选择晶体管，来允许所述多个存储器串的
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中在所述去俘获操作中包括的位线充电时段期间，所述读取和写入电路被配置为：通过将具有接地电压电平的所述第一位线电压施加到所述被选择的位线并且将具有负电位的所述第二位线电压施加到所述未被选择的位线，来控制与所述被选择的位线和所述未被选择的位线相对应的多个存储器串的相应通道电位。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器设备，其中所述地址解码器被配置为：在所述位线充电时段结束之后的升压时段期间，通过关断所述存储器块中包括的源极选择晶体管和漏极选择晶体管，来允许所述多个存储器串的通道浮置。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中所述地址解码器被配置为通过在所述升压时段期间将所述第二设置电压施加到所述未被选择的字线来使所述多个存储器串的所述通道升压。
5.根据权利要求4所述的半导体存储器设备，其中在所述多个存储器串当中，对应于所述被选择的位线的被选择的存储器串的通道升压电平高于对应于所述未被选择的位线的未被选择的存储器串的通道升压电平。
6.根据权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述被选择的存储器串中包括的多个存储器单元当中的耦合到所述被选择的字线的存储器单元具有由于施加到所述被选择的字线的所述第一设置电压与所述被选择的存储器串的所述通道升压电平之间的差异而降低的阈值电压。
7.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中所述第一设置电压具有负电位。
8.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一位线电压是接地电压，并且所述第二位线电压是负电压。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一设置电压是负电压。
11.根据权利要求8所述的方法，其中使所述多个存储器串的所述通道升压包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中随着由于所述第一通道电位与施加到所述被选择的字线的所述第一设置电压的电位之间的差异而使俘获的电子去俘获，被选择的所述至少一个存储器单元具有的阈值电压降低。
13.一种操作半导体存储器设备的方法，所述方法包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中被选择的所述存储器单元是所述多个存储器单元当中的对应于特定状态并且具有高于预设阈值电压的阈值...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑栋在，金在雄，徐晨源，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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