【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及半导体装置和操作该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器系统可包括存储数据的存储装置和控制存储装置的控制器。
2、存储装置可包括一个或更多个存储器装置，并且控制器可输出用于控制存储器装置的命令。例如，当从主机接收到请求时，控制器可生成与请求对应的命令并将命令发送到对应存储器装置。命令可用于执行编程操作、读操作、擦除操作、用于暂停正对存储器装置执行的操作的暂停命令、用于恢复对存储器装置暂停的操作的恢复命令等。例如，当控制器向存储器装置发送针对擦除操作的命令时，存储器装置可作为响应执行擦除操作。
3、另外，一些操作可被暂停。例如，在正对存储器装置执行擦除操作时，可能需要响应于来自主机的读请求执行读操作。控制器可向存储器装置发送暂停命令以暂时暂停正对存储器装置执行的擦除操作。然后，控制器可向存储器装置发送读命令，并且存储器装置可响应于操作命令执行读操作。当读操作完成时，控制器可向存储器装置发送恢复命令以恢复暂停的擦除操作。然后，存储器...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元联接在所述选择晶体管之间。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述沟道初始化电路：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0V的正电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器向所述位线施加预充电电压以将所述串的所述沟道初始化。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0V的正电压。
7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，为了将所...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元联接在所述选择晶体管之间。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述沟道初始化电路：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0v的正电压。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器向所述位线施加预充电电压以将所述串的所述沟道初始化。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述预充电电压是大于0v的正电压。
7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，为了将所述串的所述沟道初始化，所述电压发生电路向所述选择线施加所述导通电压。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，为了将所述串的所述沟道初始化，所述电压发生电路向所述字线施加通过电压。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，所述通过电压是大于0v的正电压。
10.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当所述导通电压被施加达预定时间时，所述电压发生电路向所述选择线施加所述截止电压。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，当所述选择晶体管响应于所述截止电压而截止时，所述电压发生电路对所述字线进行放电。
12.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，当所述选择晶体管响应于所述截止电压而截止时，所述页缓冲器对所述位线进行放电。
13.根据权利要求5所述的存储器装置，该存储器装置还包括：
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，所述源极线驱动器向所述源极线施加所述预充电电压以将所述串的所述沟道初始化。
15.根据权利要求1所述的存储器装置，该存储器装置还包括：
16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，为了...
【专利技术属性】
技术研发人员：金东晙，梁海宗，金钟旭，金平和，张庸桓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。