【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元占据的面积决定。最近，随着用于在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高达到极限，已经提出了用于在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：第一源极层，其包括具有第一晶粒尺寸的第一部分和具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸的第二部分；栅极结构，其位于第一源极层上；以及沟道结构，其通过栅极结构和第一源极层的第二部分延伸到第一源极层的第一部分。
2、在一个实施方式中，一种半导体装置可以包括：第一源极层，其包括第一部分和第二部分，其中，第二部分具有比第一部分更致密的晶粒结构；栅极结构，其位于第一源极层上；第二源极层，其位于第一源极层和栅极结构之间；以及源极接触结构，其通过栅极结构和第二源极层延伸到第一源极层，其中，第二部分沿第一源极层和第二源极层之间的界面延伸。
3、在一个实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成第一源极层的第一部分，该第一部分具有第一晶粒尺寸；在第一部分上形成第一源极层的第二部分，该第二部分具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸；在第一源极层上形成层叠物；以及形成穿过层叠物和第二部分的沟道结构。
4、在一个实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第二源极层之间。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第二源极层的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第三源极层的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二部分沿所述第一源极层和所述第三源极层之间的界面延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述源极接触结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述接触插塞和所述第二部分由所述绝缘间隔件分开。
11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第一部分的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第一部分的晶界密度更大的晶界密度。
15.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，形成所述第二部分的步骤包括以下步骤：
17.根据权利要求15所述的制造方法，其中，原位形成所述第一部分和所述第二部分。
18.根据权利要求15所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
19.根据权利要求18所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
20.根据权利要求19所述的制造方法，其中，用于形成所述第一开口的第一蚀刻气体的第一组分扩散到所述第二部分中。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，所述第二部分防止所述第一组分扩散到所述第一部分中。
22.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述沟道结构包括沟道层和围绕所述沟道层的存储器层，并且
23.根据权利要求22所述的制造方法，其中，通过用于形成所述第一开口的第一蚀刻气体的第一组分和用于蚀刻所述存储器层的第二蚀刻气体的第二组分之间的反应生成化合物，并且所述第二部分包含所述化合物。
24.根据权利要求18所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求18所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
26.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
27.根据权利要求26所述的制造方法，其中，形成所述第二部分的步骤包括以下步骤：
28.根据权利要求26所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
29.根据权利要求28所述的制造方法，其中，在用所述第三材料层替换所述第一材料层时，所述源极层被所述钝化层保护。
30.根据权利要求26所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二部分位于所述第一部分和所述第二源极层之间。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第二源极层的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第三源极层的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二部分沿所述第一源极层和所述第三源极层之间的界面延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述源极接触结构包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述接触插塞和所述第二部分由所述绝缘间隔件分开。
11.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第一部分的晶粒尺寸更小的晶粒尺寸。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二部分具有比所述第一部分的晶界密度更大的晶界密度。
15.一种半导体装置的制造方法，该制造方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的制造方法，其中，形成所述第二部分的步骤包括以下步骤：...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳泳兑，宾真昈，朴雅蓝，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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