System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 薄膜的制备方法、薄膜以及发光器件技术_技高网

薄膜的制备方法、薄膜以及发光器件技术

技术编号:40091292 阅读:6 留言:0更新日期:2024-01-23 16:15
本申请公开了一种薄膜的制备方法、薄膜以及发光器件,通过在薄膜的制备过程中加入酚类化合物和醇溶剂,由于酚类化合物中含有酚羟基,可以补充消耗的醇溶剂上的醇羟基,从而提高薄膜的电导率;此外,酚类化合物还能可以减弱PEDOT与PSS之间的范德华力,而从减弱掺杂PSS带来的负面影响,使电荷传递更加有效。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光器件领域,具体涉及一种薄膜的制备方法、薄膜以及发光器件


技术介绍

1、发光器件包括但不限于有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)和量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes,qled),发光器件为“三明治”结构,即包括阳极、阴极以及发光层,其中,阳极与阴极相对设置,发光层设置于阳极与阴极之间。发光器件的发光原理是:电子从器件的阴极注入至发光区,空穴从器件的阳极注入至发光区,电子和空穴在发光区复合形成激子,复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子从而发光。

2、发光器件中的空穴注入层有多种制备方法,其中溶液法是利用配置好的空穴注入层的材料以溶液的形式成膜,然后热退火处理形成所需薄膜。这种制备方式与印刷电子技术相兼容,可满足大尺寸、柔性化、低成本、高效率、绿色环保等生产要求,具有无可比拟的优势。

3、然而,空穴注入层的电导率有待提高。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种薄膜的制备方法、薄膜以及发光器件,旨在提高薄膜的电导率。

2、第一方面,本申请实施例提供一种薄膜的制备方法,包括步骤:

3、提供混合溶液,所述混合溶液包括:pedot:pss、酚类化合物以及醇溶剂;以及

4、将所述混合溶液成膜,热退火处理,形成所述薄膜。

5、可选的,所述提供混合溶液,包括:将所述pedot:pss与含有酚类化合物的醇溶剂混合,得到所述混合溶液。

6、可选的,在所述含有酚类化合物的醇溶剂中,所述酚类化合物的浓度为5~20mg/ml,和/或在所述混合溶液中,所述pedot:pss与醇的体积比为(10~12):1。

7、可选的,所述热退火处理的温度为100~200℃,时间为10~30min。

8、可选的,所述醇溶剂的沸点低于所述酚类化合物,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述醇溶剂的沸点低30~50℃;或者所述酚类化合物的沸点低于所述醇溶剂,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述酚类化合物的沸点低30~50℃。

9、可选的,所述醇溶剂选自:乙二醇、山梨醇、丙三醇、二甘醇、赤藓糖醇中的至少一种,和/或所述酚类化合物选自:叔丁基对苯二酚、三乙二醇醚-二(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯、4,4'-亚甲基双(2,6-二叔丁基苯酚)、2,6-二叔丁基对甲酚、1,1,3-三(2-甲基-4-羟基-5-叔丁苯基)丁烷中的至少一种。

10、第二方面,本申请还提供一种薄膜,所述薄膜的材料包括pedot:pss、酚类化合物以及醇类化合物。

11、可选的,所述薄膜由第一方面所述的制备方法得到。

12、第三方面,本申请还提供一种发光器件,包括:

13、相对设置的阴极以及阳极;

14、设在所述阴极和所述阳极之间的发光层;以及

15、设在所述发光层和所述阳极之间的空穴注入层,所述空穴注入层包括第二方面所述的薄膜。

16、可选的,所述阳极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、amo中的至少一种;和/或所述阴极的材料分别选自:金属或者合金电极,所述金属选自al、ag、au或pt中的至少一种;和/或所述发光层的材料为核壳结构量子点,所述壳核结构的量子点的材料选自:zncdse/zns、cds/zns、cdzns/zns、cdznse/znse、cdses/cdses/cds、cdse/cdznse/cdznse/znse、cdznse/cdznse/znse、cds/cdzns/cdzns/zns中的至少一种。

17、可选的,所述发光器件还包括:

18、空穴传输层,所述空穴传输层设于所述空穴注入层和所述发光层之间,所述空穴传输层的材料包括:tfb、cbp或pvk中的至少一种;和/或

19、电子传输层,所述电子传输层设于所述阴极和所述发光层之间,所述电子传输层的材料包括空穴传输材料,所述空穴传输材料选自掺杂了al、mg、li、in、ga中的至少一种的金属氧化物,所述金属氧化物选自zno、tio2、sno2、al2o3中的至少一种。

20、可选的,所述空穴传输层的材料还包括亚磷酸酯类化合物。

21、可选的,所述亚磷酸酯类化合选自三(2,4-二叔丁基)亚磷酸苯酯、亚磷酸三苯酯、三(4-壬苯基)亚磷酸酯中的至少一种。

22、可选的,所述空穴传输材料与所述亚磷酸酯类化合物的质量比为(5~10):1。

23、可选的,所述薄膜的厚度为10~50nm。

24、有益效果:

25、本申请通过在薄膜的制备过程中加入酚类化合物和醇溶剂,由于酚类化合物中含有酚羟基,可以补充消耗的醇溶剂上的醇羟基,并且酚类化合物自身携带还原性,能防止醇羟基的氧化,使醇溶剂帮助pedot由卷曲构象转变为伸展构象,从而提高薄膜的电导率;此外,酚类化合物还能减弱pedot与pss之间的范德华力,使pedot与pss之间发生相分离,减弱未进行电离的pss基质的耦合作用,而从减弱掺杂pss带来的负面影响,使电荷传递更加有效。

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【技术保护点】

1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述提供混合溶液,包括:将所述PEDOT:PSS与含有酚类化合物的醇溶剂混合,得到所述混合溶液。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述含有酚类化合物的醇溶剂中,所述酚类化合物的浓度为5~20mg/mL,和/或在所述混合溶液中,所述PEDOT:PSS与醇溶剂的体积比为(10~12):1。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热退火处理的温度为100~200℃,时间为10~30min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述醇溶剂的沸点低于所述酚类化合物,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述醇溶剂的沸点低30~50℃;或者所述酚类化合物的沸点低于所述醇溶剂,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述酚类化合物的沸点低30~50℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述醇溶剂选自:乙二醇、山梨醇、丙三醇、二甘醇、赤藓糖醇中的至少一种,和/或所述酚类化合物选自:叔丁基对苯二酚、三乙二醇醚-二(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯、4,4'-亚甲基双(2,6-二叔丁基苯酚)、2,6-二叔丁基对甲酚、1,1,3-三(2-甲基-4-羟基-5-叔丁苯基)丁烷中的至少一种。

7.一种薄膜,其特征在于,所述薄膜的材料包括PEDOT:PSS、酚类化合物以及醇类化合物。

8.根据权利要求7所述的薄膜,其特征在于,所述薄膜由权利要求1至6任一项所述的制备方法得到。

9.一种发光器件,其特征在于,包括:

10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,

11.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:

12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料还包括亚磷酸酯类化合物,所述亚磷酸酯类化合选自三(2,4-二叔丁基)亚磷酸苯酯、亚磷酸三苯酯、三(4-壬苯基)亚磷酸酯中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料与所述亚磷酸酯类化合物的质量比为(5~10):1。

14.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述薄膜的厚度为10~50nm。

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【技术特征摘要】

1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述提供混合溶液,包括:将所述pedot:pss与含有酚类化合物的醇溶剂混合,得到所述混合溶液。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述含有酚类化合物的醇溶剂中,所述酚类化合物的浓度为5~20mg/ml,和/或在所述混合溶液中,所述pedot:pss与醇溶剂的体积比为(10~12):1。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述热退火处理的温度为100~200℃,时间为10~30min。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述醇溶剂的沸点低于所述酚类化合物,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述醇溶剂的沸点低30~50℃;或者所述酚类化合物的沸点低于所述醇溶剂,所述热退火处理的温度高于100℃,且所述热退火处理的温度比所述酚类化合物的沸点低30~50℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述醇溶剂选自:乙二醇、山梨醇、丙三醇、二甘醇、赤藓糖醇中的至少一种,和/或所述酚类化合物选自:叔丁基对苯二酚、三...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁密芦子哲
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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