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本申请涉及半导体装置和该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：第一源极层，其包括具有第一晶粒尺寸的第一部分和具有小于第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸的第二部分；栅极结构，其位于第一源极层上；以及沟道结构，其穿过栅极结构和第一源极层的第二部分。...
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