半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法制造方法及图纸

提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤：在初步掺杂半导体结构上方层叠多个第一材料层和多个第二材料层；形成穿透多个第一材料层和多个第二材料层并延伸到初步掺杂半导体结构的内部的阻挡绝缘层、数据存储层、隧道绝缘层和沟道层；形成穿透多个第一材料层和多个第二材料层的狭缝；在狭缝的侧壁上作为双层或单层形成保护结构；以及形成在与沟道层交叉的方向上穿透初步掺杂半导体结构的一部分并与沟道层接触的掺杂沟道接触层。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法，更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置和三维半导体存储器装置的制造方法。

技术介绍

1、半导体存储器装置可包括能够存储数据的多个存储器单元。三维半导体存储器装置的多个存储器单元可三维布置。在三维半导体存储器装置中，多个存储器单元可通过穿透栅极层叠结构的沟道结构串联连接。三维半导体存储器装置的沟道层可电连接到与栅极层叠结构交叠的掺杂半导体结构。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，可提供一种制造半导体存储器装置的方法，该方法可包括以下步骤：在初步掺杂半导体结构上方在第一方向上交替地层叠多个第一材料层和多个第二材料层；形成穿透多个第一材料层和多个第二材料层的中空阻挡绝缘层，该中空阻挡绝缘层延伸到初步掺杂半导体结构的内部；在设置多个第二材料层的高度上形成多个数据存储图案，其中，中空阻挡绝缘层的内壁被多个数据存储图案部分地覆盖；形成中空隧道绝缘层以覆盖多个数据存储图案和中空阻挡绝缘层的内壁；在中空隧道绝缘层内形成沟道层；形成穿透多个第一材料层和多个第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述双层包括沿着所述狭缝的所述侧壁延伸的第一保护层和沿着所述第一保护层延伸的第二保护层，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一保护层包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单层包括相对于所述中空阻挡绝缘层和所述中空隧道绝缘层具有蚀刻选择性的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述单层包括氮化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初步掺杂半导体结构包括在所述第一方向上层叠的下层、牺牲层和上层，并且...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述双层包括沿着所述狭缝的所述侧壁延伸的第一保护层和沿着所述第一保护层延伸的第二保护层，

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一保护层包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述单层包括相对于所述中空阻挡绝缘层和所述中空隧道绝缘层具有蚀刻选择性的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述单层包括氮化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述初步掺杂半导体结构包括在所述第一方向上层叠的下层、牺牲层和上层，并且

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述狭缝穿透所述上层，并且

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中空阻挡绝缘层包括在所述初步掺杂半导体结构内的第一部分以及从所述第一部分延伸以穿透所述多个第一材料层和所述多个第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金镇河，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：