温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤：在初步掺杂半导体结构上方层叠多个第一材料层和多个第二材料层；形成穿透多个第一材料层和多个第二材料层并延伸到初步掺杂半导体结构的内部的阻挡绝缘层...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。