【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储器编程优先权申请本专利申请案主张2011年3月25日申请的第13/072,478号美国专利申请案的优先权权益,所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术介绍
例如闪存存储器装置的非易失性存储器装置用于在许多计算机及电子装置中存储数据。闪存存储器装置通常具有存储数据的编程操作、检索所存储的数据的读取操作及清除来自所述存储器的数据的擦除操作。常规的编程操作可涉及使存储器单元经编程以具有某些状态,且接着确定所述状态是否在其期望的目标编程状态内。可重复编程操作直到获得期望的目标编程状态为止。在一些常规的编程操作中,确定被编程的存储器单元的状态可能是一种挑战。
技术实现思路
附图说明图1展示根据本专利技术的实施例的存储器装置的框图。图2展示根据本专利技术的实施例的存储器装置的部分示意图。图3展示说明在根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的编程操作期间施加到与所选择的存储器单元相关联的存取线的各种信号的实例值的图式。图4展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的对应的阈值电压的阈值电压值范围的实例。图5展示说明根据本专利技术的实施例的图3及图4中所展示的阈值电压值与信号之间的关系的图表。图6是展示根据本专利技术的实施例的图5中所展示的一些信息及信号的值之间的关系的图表。图7展示根据本专利技术的实施例的在图2的存储器装置的一些所选择的存储器单元的实例编程期间基于图5及图6中所展示的信息值而通过所述存储器装置执行的一些活动。图8展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的另一部分的部分示意图。图9是展示根据本专利技术的实施例的图2的存储器装置的活动 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.03.25 US 13/072,4781.一种存储器编程方法,其包括:将信号施加到与存储器单元相关联的线,所述信号是基于数字信息而产生;当所述数字信息具有第一值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述存储器单元是否接近目标状态;及当所述数字信息具有第二值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态,其中所述第一值与用于确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态的值不同,其中确定所述存储器单元是否接近目标状态包括确定所述存储器单元的阈值电压值是否已达到第一电压值,且其中确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态包括确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到第二电压值,其中所述第二电压值大于所述第一电压值。2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括如果所述存储器单元接近所述目标状态,则调整所述存储器单元的编程速率。3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括如果所述存储器单元已达到所述目标状态,则完成所述存储器单元的编程。4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括如果所述存储器单元不接近所述目标状态且尚未达到所述目标状态,则增加所述存储器单元的编程速率。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述数字信息的所述第二值对应于所述存储器单元的目标阈值电压值。6.根据权利要求1所述的方法,其中所述信号包含基于所述数字信息的所述第一值而产生的值,且所述信号的所述值小于所述第一电压值。7.根据权利要求6所述的方法,其中所述信号包含基于所述数字信息的所述第二值而产生的额外值,其中所述额外值小于所述第二电压值。8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在将所述信号施加到所述线之前改变所述存储器单元的所述阈值电压值。9.根据权利要求1所述的方法,其中所述数字信息包含按顺序次序产生的多个值,所述数字信息的所述第一值对应于所述多个值中的第一值,所述数字信息的所述第二值对应于所述多个值中的第二值,且其中所述第二值与所述第一值之间的差为2。10.一种存储器编程方法,其包括:将信号施加到与第一存储器单元及第二存储器单元相关联的线,所述信号是基于输入信息而产生;当所述输入信息具有第一值时且当将所述信号施加到所述线时确定第一存储器单元的阈值电压值是否达到接近第一目标阈值电压值的值;当所述输入信息具有第二值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第一存储器单元的所述阈值电压值是否达到所述第一目标阈值电压值;当所述输入信息具有第三值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第二存储器单元的阈值电压值是否达到接近第二目标阈值电压值的值;及当所述输入信息具有第四值时且当将所述信号施加到所述线时确定所述第二存储器单元的所述阈值电压值是否达到所述第二目标阈值电压值。11.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一目标阈值电压值与所述第二目标阈值电压值不同。12.根据权利要求10所述的方法,其中所述输入信息的所述第一值小于所述输入信息的所述第二值。13.根据权利要求10所述的方法,其中所述输入信息的所述第二值小于所述输入信息的所述第三值。14.根据权利要求10所述的方法,其中所述输入信息的所述第三值小于所述输入信息的所述第四值。15.一种存储器编程方法,其包括:产生第一信息;产生第二信息;当所述第一信息的值对应于目标阈值电压值时确定存储器单元是否接近目标状态;及当所述第二信息的值对应于所述目标阈值电压值时确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态,其中所述第一信息在第一时间间隔期间具有第一值且在第二时间间隔期间具有第二值,所述第二信息在所述第一时间间隔期间具有第一值且在所述第二时间间隔期间具有第二值,且所述第一信息的所述第一值等于所述第二信息的所述第二值。16.根据权利要求15所述的方法,其中确定存储器单元是否接近目标状态包括确定所述存储器单元的阈值电压值是否已达到接近所述存储器单元的所述目标阈值电压值的值,且其中确定所述存储器单元是否已达到所述目标状态包括确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到所述目标阈值电压值。17.根据权利要求15所述的方法,其中所述第一信息及所述第二信息是基于同一输入信息而产生。18.根据权利要求17所述的方法,其中当将基于所述输入信息产生的信号施加到与所述存储器单元相关联的存取线时,执行确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到接近所述目标阈值电压值的所述值及确定所述存储器单元的所述阈值电压值是否已达到所述目标阈值电压值。19.一种存储器编程方法,其包括:在第一时间间隔及第二时间间隔期间将信号施加到与存储器单元相关联的第一线,所述信号在所述第一时间间隔期间具有对应于数字...
【专利技术属性】
技术研发人员:维奥兰特·莫斯基亚诺,乔瓦尼·桑廷,米凯莱·因卡尔纳蒂,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:
国别省市:
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