【技术实现步骤摘要】
具有气隙的半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2012年5月31日提出的韩国专利申请No.10-2012-0058435的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体器件,更具体而言涉及一种具有气隙的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
一般而言,半导体器件包括多个第一导电层图案和多个第二导电层图案。每个第二导电层图案形成在第一导电层图案之间,但在第一导电层图案和第二导电层图案之间绝缘。第一导电层图案可以包括栅电极、位线和金属线。第二导电层图案可以包括接触插塞、储存节点接触插塞、位线接触插塞和通孔(via)。随着半导体器件高度集成,第一导电层图案与第二导电层图案之间的距离变得越来越短。第一导电层图案与第二导电层图案之间的较窄的间隔可能会在第一导电层图案与第二导电层图案之间产生寄生电容。具体地,由于位线与储存节点接触插塞之间的寄生电容的增加,包括与储存节点接触插塞相邻的位线的动态随机存取存储(DRAM)器件可能会具有缓慢的操作速率和劣化的刷新特征。为了减小寄生电容,可以最小化第一导电层图案与第二导电层图案之间的面对的面积,或要求保持导电层图案之间的距离。然而,由于半导体器件产品的尺寸缩减,在增加导电层图案之间的距离方面存在限制。同样地,为了缩小面对的面积所提出的一种方式是降低第一导电层图案或第二导电层图案的高度。然而,降低高度必然伴随导电层图案的电阻增加。因此,减小寄生电阻的一种最好方式是减小绝缘层的介电常数。一般而言,使用氧化硅层和氮化硅层作为半导体器件的绝缘层。氧化硅层的介电常数(k)大约为4,且氮化硅层的介电 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成多个位线结构;在所述位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层;通过选择性刻蚀所述间隔件层来暴露出所述衬底的表面;通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成气隙和用于覆盖所述气隙的上部的覆盖间隔件;以及在所述位线结构之间形成储存节点接触插塞。
【技术特征摘要】
2012.05.31 KR 10-2012-00584351.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成多个位线结构;在所述位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层;通过选择性刻蚀所述间隔件层来暴露出所述衬底的表面;通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成气隙和用于覆盖所述气隙的上部的覆盖间隔件;以及在所述位线结构之间形成储存节点接触插塞,其中,在所述位线结构之上形成彼此之间插入有所述覆盖层的所述多层间隔件层的步骤中,所述间隔件层具有在氮化物层之间形成氧化物层的结构;或者所述间隔件层具有在氧化物层之间形成氮化钛层的结构。2.如权利要求1所述的方法,其中,通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成所述气隙和用于覆盖所述气隙的上部的所述覆盖间隔件的步骤包括以下步骤:对所述间隔件层执行回蚀工艺;以及通过从所述位线结构的下部选择性去除所述覆盖层来形成所述气隙。3.如权利要求2所述的方法,其中,经由湿法刻蚀工艺形成所述气隙。4.如权利要求1所述的方法,其中,在通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成所述气隙和用于覆盖所述气隙的上部的所述覆盖间隔件的步骤中,当所述覆盖层由所述氧化物层形成时,使用包括作为主要成分的氟化氢HF的化学品。5.如权利要求1所述的方法,其中,在通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成所述气隙和用于覆盖所述气隙的上部的所述覆盖间隔件的步骤中,当所述覆盖层由所述氮化钛层形成时,使用包括作为主要成分的硫酸H2SO4和过氧化氢H2O2的化学品。6.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在衬底之上形成多个位线结构;在所述位线结构之上形成彼此之间插入有覆盖层的多层间隔件层;通过选择性刻蚀所述间隔件层来暴露出所述衬底的表面;通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成气隙和用于覆盖所述气隙的上部的覆盖间隔件;形成用于覆盖所述气隙的下部的气隙下覆盖层;以及在形成有所述气隙下覆盖层的所述位线结构之间形成储存节点接触插塞。7.如权利要求6所述的方法,其中,形成用于覆盖所述气隙的下部的所述气隙下覆盖层的步骤包括以下步骤:经由选择性外延生长工艺在所述衬底之上形成硅层。8.如权利要求6所述的方法,其中,形成用于覆盖所述气隙的下部的所述气隙下覆盖层的步骤包括以下步骤:在形成有所述气隙的所述衬底的轮廓之上形成绝缘层;以及对所述绝缘层执行回蚀工艺。9.如权利要求8所述的方法,其中,所述绝缘层包括氧化物层或氮化物层。10.如权利要求6所述的方法,其中,形成用于覆盖所述气隙的下部的所述气隙下覆盖层的步骤包括以下步骤:在所述衬底之上形成多晶硅层。11.如权利要求6所述的方法,其中,通过选择性刻蚀所述覆盖层来形成所述气隙和用于覆盖所述气隙的上部的所述覆盖间隔件的步骤包括以下步骤:对所述间隔件层执行回蚀工艺;以及通过从所述位线结构的下部选择性去除所述覆盖层来形成所述气隙。12.如权利要求11所述的方法,其中,经由湿法刻蚀工艺形成所述气隙。13.如权利要求6所述的方法,其中,在所述位线结构之上形成彼此之间插入有所述覆盖层的所述多层间隔件层的步骤中,所述间隔件层具有在氮化物层之间形成氧化物层的结构。14.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:金俊基,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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