【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年10月17日提交的美国临时申请No.62/065284的权益。上面提及的申请的全部公开通过引用并入本文。
本专利技术涉及用于处理衬底的方法,更具体地涉及用于在鳍式场效晶体管(FinFET)器件中集成气隙间隔件的方法。
技术介绍
本文提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的上下文的目的。在该
技术介绍
部分中所描述的范围内的目前署名的专利技术人的工作,以及在提交申请时不能视为现有技术的描述的方面,既不明示也不暗示地承认其为对抗本公开的现有技术。现在参考图1A,示出FinFET器件10,其包括设置在一个或多个下伏层12上的源极区14和漏极区18。源极接触20在垂直方向上从源极区14延伸到布置在源极区14上方的水平平面中的源极接触22。漏极接触28在垂直方向上从漏极区18延伸到布置在漏极区18上方的水平平面中的漏极接触30。栅极区34和38被布置在源极区14和漏极区18之间。多个鳍片40横向延伸到源极区14和漏极区18之间的栅极区38。现在参考图1B,FinFET器件10的寄生电容限制AC性能。图1B示出了一些寄生电容。第一寄生电容C1出现在源极接触22和漏极接触30之间。第二寄生电容C2出现在源极/漏极接触20、22、28和30和栅极38之间。第三寄生电容C3出现在栅极区34和38与源极区14/漏极区18之间。第四寄生电容C4出现在源极接触20和漏极区18之间。 ...
【技术保护点】
一种用于提供气隙间隔件给鳍式场效晶体管器件的方法,其包括:提供包括多个鳍片和布置成横向于所述多个鳍片的虚设栅极的衬底;在所述虚设栅极的周围沉积牺牲间隔件;在所述牺牲间隔件的周围沉积第一层间电介质(ILD)层;相对于所述第一ILD层和所述牺牲间隔件选择性地蚀刻所述虚设栅极;沉积替代金属栅极(RMG);蚀刻所述RMG的一部分,以创建被所述牺牲间隔件包围的凹部;以及在所述凹部中沉积栅极覆盖层,其中,所述栅极覆盖层至少部分地由所述牺牲间隔件包围,并由碳氧化硅(SiOC)制成。
【技术特征摘要】
2014.10.17 US 62/065,284;2015.10.15 US 14/884,2641.一种用于提供气隙间隔件给鳍式场效晶体管器件的方法,其包括:
提供包括多个鳍片和布置成横向于所述多个鳍片的虚设栅极的衬底;
在所述虚设栅极的周围沉积牺牲间隔件;
在所述牺牲间隔件的周围沉积第一层间电介质(ILD)层;
相对于所述第一ILD层和所述牺牲间隔件选择性地蚀刻所述虚设栅
极;
沉积替代金属栅极(RMG);
蚀刻所述RMG的一部分,以创建被所述牺牲间隔件包围的凹部;以及
在所述凹部中沉积栅极覆盖层,其中,所述栅极覆盖层至少部分地由所
述牺牲间隔件包围,并由碳氧化硅(SiOC)制成。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述栅极覆盖层使用远程等离子体工
艺沉积。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述牺牲间隔件由氮化硅制成。
4.如权利要求1所述的方法,其还包括执行所述栅极覆盖层的化学机械
研磨(CMP)。
5.如权利要求1所述的方法,其还包括:
蚀刻所述多个鳍片的相对端部的周围的所述第一ILD层以创建用于自
对准接触(SAC)的凹部;以及
在所述凹部中沉积所述SAC。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述在所述凹部中沉积所述SAC包
括:
沉积阻挡层;以及
沉积金属层。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述阻挡层包括钛层和氮化钛层。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述阻挡层包括WCNx,其中x是大
于零的整数。
9.如权利要求5所述的方法,其中所述SAC包括含有选自钨(W)和钴
(Co)中的材料的金属层。
10.如权利要求5所述的方法,其还包括通过相对于所述第一ILD层、
所述栅极覆盖层以及所述SAC选择性地蚀刻所述牺牲间隔件以去除所述牺牲
间隔件,从而创建气隙间隔件。
11.如权利要求10所述的方法,其还包括在所述气隙间隔件的上部沉积
气隙密封件。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述气隙密封件由ILD、二氧化
硅、掺杂碳的二氧化硅和SiOC中的至少一种制成。
13.如权利要求11所述的方法,其中所述沉积所述气隙密封件包括:
在所述衬底的顶面上沉积密封层;以及
执行所述密封层的化学机械研磨(CMP)以限定所述气隙密封件。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述密封层使用等离子体增强化学
气相沉积来沉积。
15.如权利要求13所述的方法,其还包括在所述衬底上沉积蚀刻停止
层。
16.如权利要求15所述的方法,其中所述蚀刻停止层包括SiOC。
17.如权利要求15所述的方法,其还包括在所述蚀刻停止层上沉积第二
ILD层。
18.如权利要求17所述的方法,其还包括蚀刻所述第二ILD层和所述蚀
刻停止层的一部分以打开所述衬底的下伏层的选定部分。
19.如权利要求1所述的方法,其中所述虚设栅极由多晶硅制成。
20.一种鳍式场效晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员:保罗·雷蒙德·贝塞尔,巴特·范·斯拉文迪克,木村良枝,格拉尔多·A·德尔加迪尼奥,哈拉尔德·奥科伦施密特,杨邓良,
申请(专利权)人:朗姆研究公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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